一种基于PIN型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112614910B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202011494811.3

    申请日:2020-12-17

    摘要: 本发明涉及一种基于PIN型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法,其采用n型氮化镓微米线核和依次覆盖n型氮化镓微米线核表面的i型氮化镓及p型氮化镓构成了PIN型同质结微米线,并通过n型氮化镓微米线核与下电极接触,p型氮化镓与上电极接触构建了垂直结构的微型化紫外光电探测器。该探测器结构中,沿其微米线直径方向的PIN同质结增加了结的接触面积,增加了空间电荷区的面积,保证光吸收主要发生在空间电荷区,能够有效抑制光生载流子的复合,提高紫外探测器响应度,和更低的暗电流。且同质外延生长的氮化镓,大大提高了材料的晶体质量,降低了缺陷密度,保障了紫外光电探测器的性能。

    一种基于PIN型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112614910A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011494811.3

    申请日:2020-12-17

    摘要: 本发明涉及一种基于PIN型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法,其采用n型氮化镓微米线核和依次覆盖n型氮化镓微米线核表面的i型氮化镓及p型氮化镓构成了PIN型同质结微米线,并通过n型氮化镓微米线核与下电极接触,p型氮化镓与上电极接触构建了垂直结构的微型化紫外光电探测器。该探测器结构中,沿其微米线直径方向的PIN同质结增加了结的接触面积,增加了空间电荷区的面积,保证光吸收主要发生在空间电荷区,能够有效抑制光生载流子的复合,提高紫外探测器响应度,和更低的暗电流。且同质外延生长的氮化镓,大大提高了材料的晶体质量,降低了缺陷密度,保障了紫外光电探测器的性能。

    一种铅酸蓄电池铅碳正极板栅的制备方法

    公开(公告)号:CN105024083B

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:CN201510380971.8

    申请日:2015-06-29

    IPC分类号: H01M4/82

    摘要: 本发明公开了一种铅酸蓄电池铅碳正极板栅的制备方法,将适量木屑置于马弗炉中进行碳化,取出研磨后制得活性炭;将所制得的活性炭与适量PVDF粘接剂加入到球磨罐中制备得到炭浆;在常规真空感应炉中,加入铜块、钙和铝块并搅拌均匀,得到铜钙铝合金液;在高温熔炉中将所述铜钙铝合金液搅拌,再依次加入铅、锡和硒,并搅拌至混合均匀制备得到铅合金;将1/2混合好的铅合金倒入模具槽内,然后沿所述模具槽的中间线匀速注入所制备的炭浆,再将剩下的铅合金沿所述模具槽的两边同时注入,待冷却后得到所述铅碳正极板栅。所制备的板栅质量轻,质量比能量高,生产成本低,而且耐腐蚀性能好,析氧过电位高,从而使得铅酸蓄电池的循环寿命高。

    一种铅酸蓄电池铅碳正极板栅的制备方法

    公开(公告)号:CN105024083A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201510380971.8

    申请日:2015-06-29

    IPC分类号: H01M4/82

    CPC分类号: H01M4/82

    摘要: 本发明公开了一种铅酸蓄电池铅碳正极板栅的制备方法,将适量木屑置于马弗炉中进行碳化,取出研磨后制得活性炭;将所制得的活性炭与适量PVDF粘接剂加入到球磨罐中制备得到炭浆;在常规真空感应炉中,加入铜块、钙和铝块并搅拌均匀,得到铜钙铝合金液;在高温熔炉中将所述铜钙铝合金液搅拌,再依次加入铅、锡和硒,并搅拌至混合均匀制备得到铅合金;将1/2混合好的铅合金倒入模具槽内,然后沿所述模具槽的中间线匀速注入所制备的炭浆,再将剩下的铅合金沿所述模具槽的两边同时注入,待冷却后得到所述铅碳正极板栅。所制备的板栅质量轻,质量比能量高,生产成本低,而且耐腐蚀性能好,析氧过电位高,从而使得铅酸蓄电池的循环寿命高。

    一种微米级的核壳异质结自驱动紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112614943A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011426877.9

    申请日:2020-12-09

    IPC分类号: H01L51/46 H01L51/42 H01L51/48

    摘要: 本发明涉及一种微米级的核壳异质结自驱动紫外探测器及其制备方法,其以高质量的单根氮化镓微米线为核芯,以p型有机PTAA材料为壳层,设置第一电极与单根n型氮化镓微米线接触,第二电极与p型PTAA薄层接触,实现了单根GaN微米线与PTAA层结合的有机无机杂糅异质结。该结构中,PTAA具有高的导电率和室温稳定性,其包裹GaN微米线的表面增加了异质结的接触面积和空间电荷区的面积,保证光吸收主要发生在空间电荷区,有效抑制了光生载流子的复合,提高了紫外探测器响应度和稳定性。

    一种钻头导向式新型钻井工具

    公开(公告)号:CN108412425B

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN201810438448.X

    申请日:2018-05-09

    IPC分类号: E21B7/06 E21B7/08

    摘要: 本发明涉及石油钻井设备技术领域,具体涉及一种钻头导向式新型钻井工具,其主要包括:上接头、非旋转外壳、斜盘式单柱塞泵、液压控制系统集成模块、万向联轴器、液压缸动力执行机构、可弯外壳和下接头;所述上接头与旋转钻杆相连,通过下接头连接钻头;所述液压缸动力执行机构包括上支撑座、液压缸和下支撑座;本发明通过将三个液压缸分别与上支撑座铰接和下支撑座球铰,构成三自由度RPS并联机构,通过三个液压缸活塞杆伸出量的组合变化带动下支撑座在360°任意方向上偏转,且通过万向联轴器将钻杆的旋转运动传递给钻头;具有轨迹平缓、造斜能力大的特点。

    一种垂直结构的微米线阵列光探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112614904B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202011425254.X

    申请日:2020-12-09

    摘要: 本发明涉及一种垂直结构的微米线阵列真空紫外光探测器及其制备方法,其包括表面设置有多个平行排列凹槽的p型硅基底,凹槽的截面呈倒梯形,n型AlN微米线阵列沿其凹槽的侧壁外延生长形成,石墨烯导电层设置于该硅基底上与AlN微米线阵列接触,金属电极层设置于硅基底上相对于设置石墨烯导电层的表面。本发明通过图案化硅基底以及选择性外延生长获得了晶体质量优异的n型AlN微米线阵列微结构,其与p型硅构成的异质结构相较于传统的单一薄膜探测器能够进一步提升真空紫外光探测器的响应速率、降低暗电流、提高响应度、工作稳定性好和具有良好的自供电性能等优势。

    一种铅酸蓄电池负极用碳材料的制备方法

    公开(公告)号:CN105024080A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201510373420.9

    申请日:2015-06-29

    IPC分类号: H01M4/62 C01B31/08 H01M10/06

    摘要: 本发明公开了一种铅酸蓄电池负极用碳材料的制备方法,称取一定量的不同粒径的活性炭材料,将其置于去离子水中在100-300r/min的转速,以及70-100℃的条件下振荡60-120分钟,再过滤后置于50-90℃的真空干燥箱中干燥6-12小时,得到干燥的活性炭;将干燥的活性炭置于一定体积的溶剂中,在100-300r/min的转速,以及20-50℃的条件下振荡80-140分钟;将反应后的产物过滤后置于50-90℃的真空干燥箱中干燥8-12小时,得到铅酸蓄电池负极用碳材料。该碳材料能够改善碳材料与活性物质之间的结合以及碳材料在活性物质中的分散,从而延长铅酸蓄电池在高倍率部分荷电状态下的循环寿命。

    一种微米级的核壳异质结自驱动紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112614943B

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202011426877.9

    申请日:2020-12-09

    摘要: 本发明涉及一种微米级的核壳异质结自驱动紫外探测器及其制备方法,其以高质量的单根氮化镓微米线为核芯,以p型有机PTAA材料为壳层,设置第一电极与单根n型氮化镓微米线接触,第二电极与p型PTAA薄层接触,实现了单根GaN微米线与PTAA层结合的有机无机杂糅异质结。该结构中,PTAA具有高的导电率和室温稳定性,其包裹GaN微米线的表面增加了异质结的接触面积和空间电荷区的面积,保证光吸收主要发生在空间电荷区,有效抑制了光生载流子的复合,提高了紫外探测器响应度和稳定性。

    一种垂直结构的微米线阵列光探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112614904A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011425254.X

    申请日:2020-12-09

    摘要: 本发明涉及一种垂直结构的微米线阵列真空紫外光探测器及其制备方法,其包括表面设置有多个平行排列凹槽的p型硅基底,凹槽的截面呈倒梯形,n型AlN微米线阵列沿其凹槽的侧壁外延生长形成,石墨烯导电层设置于该硅基底上与AlN微米线阵列接触,金属电极层设置于硅基底上相对于设置石墨烯导电层的表面。本发明通过图案化硅基底以及选择性外延生长获得了晶体质量优异的n型AlN微米线阵列微结构,其与p型硅构成的异质结构相较于传统的单一薄膜探测器能够进一步提升真空紫外光探测器的响应速率、降低暗电流、提高响应度、工作稳定性好和具有良好的自供电性能等优势。