公开(公告)号：CN117153692A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311066353.7

申请日：2023-08-23

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 孙一鸣 ,  朱玲玉 ,  陈薪好 ,  黎飞 ,  赵一铭

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/808 ,  H01L29/08 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明涉及一种二硫化铼‑碲异质结结型场效应晶体管及其制备方法和应用，包括设置于衬底上的p型碲纳米片，与p型碲纳米片呈交叉设置的n型二硫化铼薄层，第一电极和第二电极分别设置于p型碲纳米片的两端，第三电极和第四电极分别设置于n型二硫化铼薄层的两端；第一电极和第二电极分别作为源极和漏极时，第三或第四电极作为栅极；第三电极和第四电极分别作为源极和漏极时，第一或第二电极作为栅极，该设置使得同一结构中集成了p型和n型JFET，使得通过不同电极的选择实现了p型JFET和n型JFET的切换，实现了低功耗和高迁移率，节约了成本；该方法简单易操作，不涉及介电层的制备，避免了复杂的介电工程，提升了器件性能。

公开(公告)号：CN117080257A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310910093.0

申请日：2023-07-24

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 孙一鸣 ,  陈薪好 ,  朱玲玉 ,  赵一铭 ,  黎飞

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/18 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L21/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种双结型场效应晶体管及其制备方法，其包括：衬底、p型Te纳米片、n型MoS2纳米片、源电极、漏电极、顶栅电极和衬底栅电极；p型Te纳米片设于衬底表面，n型MoS2纳米片穿插设置于Te纳米片中、与Te纳米片呈交叉状，Te纳米片与所述MoS2纳米片之间构成垂直的双范德华异质结；本发明将Te和MoS2应用于结型晶体管(JFET)中，通过调控p型Te纳米片的栅极电压来实现p型Te纳米片与MoS2形成的两个p‑n结范德华异质结结区的耗尽区深度，实现对耗尽区域的电学性能的调节，具有较低的亚阈值摆幅以及高开关比等电学性质。