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公开(公告)号：CN110571289B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201910900885.3
申请日：2019-09-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于多孔太阳电池领域，公开了一种InP‑石墨烯太阳电池及其制备方法。所述InP‑石墨烯太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、InP外延层、TiO2空穴阻挡层、石墨烯层和Al2O3减反射层；围绕Al2O3减反射层设置一圈Ag接触电极，Ag接触电极与石墨烯层接触。本发明在磷化铟上设置二氧化钛空穴阻挡层，利用二氧化钛能带结构以增大光伏元件的载流子迁移率，从而增大少数载流子的寿命，并在二氧化钛上方附加高透光率、载流子传输速率快、功函数较高的石墨烯，利用能级梯度差进一步增大载流子的势能，从而提高磷化铟电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN112760668B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011562286.4
申请日：2020-12-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/053 , C25B11/091 , C23C16/34 , C23C16/50 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯上InGaN纳米柱光电极无偏压光电化学制氢系统与其应用。该体系包括光阳极、光阴极、电解液、光源、电解池，所述的光阳极结构从下至上依次为衬底、衬底上的石墨烯、生长在石墨烯上的InGaN纳米柱，所述的光阴极结构从上至下依次为衬底、生长在衬底上的InGaN纳米柱；本发明使用石墨烯不仅拓宽了衬底的选择范围，同时可以充当导电电极使用，降低了成本；石墨烯还能与纳米柱之间的形成肖特基势垒，有利于分离光生载流子，增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；同时石墨烯的透光性能够制备InGaN纳米柱集成光电极，能拓宽光谱吸收、提高水分解所需光电压，实现无偏压光电水分解产氢。
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公开(公告)号：CN114373865A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111526590.8
申请日：2021-12-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L51/42 , H01L51/48 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种钙钛矿/GaAs单结杂化太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池，包括自下而上依次层叠的背面电极、n型掺杂的砷化镓层、钙钛矿层、石墨烯层、正面电极；所述钙钛矿层包括MaSn0.5Pb0.5I3、MASnI3、CsSnI2Br中一种以上。本发明还公开了太阳能电池的制备方法。本发明的太阳能电池具有抗辐照性、高转换效率、带隙可调、开启电压高的优点，并且具有宽的吸收光谱。而且本发明中钙钛矿在GaAs与石墨烯之间形成的电子势垒，有利于减少载流子复合，从而提高短路电流及转换效率，同时有利于降低制作成本。
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公开(公告)号：CN110305380B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910617538.X
申请日：2019-07-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: C08L9/06 , C08K13/04 , C08K3/36 , C08K3/22 , C08K5/09 , C08K5/18 , C08K3/06 , C08K5/47 , C08K7/26
Abstract: 本发明公开了一种基于废印刷电路板非金属粉的橡胶复合物及其制备方法，属于橡胶复合物领域。该方法利用废印刷电路板非金属粉和常用的无机填料对橡胶进行复合改性，制备了一种基于废印刷电路板非金属粉的橡胶复合物。该橡胶复合物的硫化速率和力学强度均得到显著改善，且无需改变目前的工业化加工工艺，简单易行。这不仅能够有效地改善废印刷电路板非金属粉带来的环境污染问题，而且有望在低成本橡胶复合材料中得到良好的应用。
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公开(公告)号：CN111074344A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911258032.0
申请日：2019-12-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及(In)GaN纳米柱、能源与催化领域，具体公开了一种GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用。该GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱包括衬底、衬底上的InGaAsN缓冲层层、生长在InGaAsN层上的(In)GaN纳米柱。本发明采用GaAs作为(In)GaN纳米柱衬底，显著提高了纳米柱电极的导电性，有效降低了衬底与纳米柱之间的界面阻抗，有利于增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；与此同时，新型的(In)GaN纳米柱晶体质量好，禁带宽度可调，比表面积大，可实现可见光光谱响应，适用于光电解水产氢。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109799294A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910021527.5
申请日：2019-01-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种使用高分辨裂解气相色谱-质谱分析改性填料/并用胶各胶相的交联动力学的方法。本发明采用高分辨裂解气相色谱-质谱（HR PyGC-MS）系统研究了硫化促进剂改性的白炭黑或石墨烯在整个硫化周期中对并用橡胶共混物各组分交联动力学的影响。通过HR PyGC-MS方法测得并用橡胶各组分在不同硫化阶段的交联程度，并通过橡胶交联动力学方程计算各组分的交联反应速率常数，揭示改性后的不同补强填料体系对并用橡胶各组分交联速度和交联程度的影响规律与特征，为进一步研究添加硫化促进剂改性白炭黑或改性石墨烯的并用橡胶的共硫化过程与本质提供实验依据和技术指导。
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公开(公告)号：CN106279772B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610740697.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种埃洛石纳米管表面原位生长二氧化硅制备杂化填料的方法。该方法首先将埃洛石纳米管分散到溶剂中，然后加入氨水和催化剂，超声分散后，再添加硅源单体，在30‑80℃条件下搅拌反应1‑10小时，离心过滤，洗涤，倒掉上层清液，烘干，得到杂化填料。与埃洛石纳米管相比，本发明制备的杂化填料的比表面积显著增加，作为填料添加到聚合物中后，表面的二氧化硅在聚合物复合材料的加工过程中不会出现脱落，能够吸附更多的聚合物分子链，显著增强有机/无机界面结合作用，并且杂化填料的不规则表面为进一步功能性表面处理提供了更多的活性基团，在功能化填料和高性能复合材料的制备领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN107337809A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710497837.5
申请日：2017-06-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: C08K9/06 , C08K9/04 , C08K7/26 , C08K3/36 , C08L7/00 , C08L9/02 , C08L9/06 , C08L15/00 , C08L13/00
CPC classification number: C08K9/06 , C08K3/36 , C08K7/26 , C08K9/04 , C08K2201/011 , C08L2201/08 , C08L7/00 , C08L9/02 , C08L9/06 , C08L15/00 , C08L13/00
Abstract: 本发明公开了一种具有防老效果的功能性介孔二氧化硅纳米粒子及其制备方法与应用。该方法采用溶胶-凝胶法制备了介孔二氧化硅粒子，然后将介孔二氧化硅粒子与硅烷偶联剂混合反应，得中间产物。再将中间产物与防老剂或防老剂中间体混合反应，得功能性介孔二氧化硅纳米粒子。将功能性介孔二氧化硅纳米粒子添加到橡胶基体中，得到具有良好补强效果和防老效果的橡胶复合材料。这种功能性介孔二氧化硅纳米粒子不仅能够有效地改善橡胶复合材料的耐老化性能和物理机械性能，在高性能橡胶复合材料中具有很好的应用前景；而且这种利用介孔二氧化硅纳米粒子作为纳米载体去负载高分子助剂的方法，对其它功能性高分子助剂的制备具有重要的借鉴意义。
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公开(公告)号：CN114093955B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202111207028.9
申请日：2021-10-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/06 , H01L31/18
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公开(公告)号：CN114373866B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202111526602.7
申请日：2021-12-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种GaAs纳米锥肖特基结太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括依次层叠的背面电极、表面设有纳米锥阵列的n型掺杂GaAs衬底、空穴传输层、石墨烯导电层以及正面电极；表面设有纳米锥阵列的n型掺杂GaAs衬底包括依次设置的n型GaAs衬底和GaAs纳米锥阵列；n型GaAs衬底设置在背面电极上。本发明还公开了太阳能电池的制备方法。本发明引入纳米锥结构，当入射光射入时，光子会产生多重反射及折射，从而直接被GaAs纳米结构所捕获，并且可省略减反射膜，简化太阳能电池的结构。此外，本发明在纳米锥结构表面引入空穴传输层，从而减少载流子复合，提高光电转换效率。
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