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公开(公告)号:CN103346193B
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201310271252.3
申请日:2013-06-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/073 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于光电器件领域,公开了一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法。该CdTe纳米晶异质结太阳电池,由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极依次层叠构成。阴极界面层指ZnO或TiO2薄膜;光活性层由一层或多层CdTe纳米晶层组成;阴极指氧化铟锡导电膜、掺杂二氧化锡、金属膜和金属氧化物薄膜中的至少一种;窗口层为CdS薄膜;阳极为Ag或者Al;光活性层和阳极之间有一层MoO3氧化膜。本发明的CdTe纳米晶异质结太阳电池采用溶液加工技术,实现太阳电池的超薄化,且性能优异,能量转换效率高达3.73%。
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公开(公告)号:CN103346193A
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201310271252.3
申请日:2013-06-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/073 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于光电器件领域,公开了一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法。该CdTe纳米晶异质结太阳电池,由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极依次层叠构成。阴极界面层指ZnO或TiO2薄膜;光活性层由一层或多层CdTe纳米晶层组成;阴极指氧化铟锡导电膜、掺杂二氧化锡、金属膜和金属氧化物薄膜中的至少一种;窗口层为CdS薄膜;阳极为Ag或者Al;光活性层和阳极之间有一层MoO3氧化膜。本发明的CdTe纳米晶异质结太阳电池采用溶液加工技术,实现太阳电池的超薄化,且性能优异,能量转换效率高达3.73%。
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公开(公告)号:CN118332447A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410439753.6
申请日:2024-04-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F18/2431 , A61B5/346 , A61B5/00 , G06F18/15 , G06F18/213 , G06F18/25 , G06N3/0464 , G06N3/0455 , G06N3/084 , G16H50/20
Abstract: 本发明公开了一种基于心电图的预激旁道自动定位方法及系统,在预激旁道自动定位方法AI模型的训练阶段,批次数量为N的样本数据经过EfficientNet‑b1‑sk骨干特征提取网络后得到N个输出特征向量,然后流向两个分支。一个分支经过批处理模块后再经过分类器即全连接层处理获得AI模型的预测输出,这一分支可以通过梯度反向传播学习得到样本之间的相互关系,解决类别不平衡分布带来的尾部类预测准确率低的问题;另一分支之间输出到分类器获得AI模型的预测结果,两个分支同时训练的过程中,AI模型能通过梯度反向传播过程将批样本处理模块获得的样本相互关系知识转移到骨干特征网络和分类器上,使AI模型获得更好的分类性能。
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