一种透明导电膜的沉积方法以及RPD设备

    公开(公告)号:CN117758213A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311797305.5

    申请日:2023-12-25

    IPC分类号: C23C14/32 C23C14/08

    摘要: 本申请公开了一种透明导电膜的沉积方法以及RPD设备,该沉积方法通过该RPD设备在待镀膜衬底的表面沉积透明导电膜,该沉积方法通过第一电源将反应室内的惰性气体转换为等离子体,以蒸发反应室内的铟靶材,通过第二电源蒸发反应室内的钼靶材,在反应室内气压处于稳定状态后,通入氧气,氧气与反应室内方法的钼离子和铟离子反应,从而在待镀膜沉底的表面沉积透明导电膜。本申请技术方案直接采用铟靶材和钼靶材在待镀膜衬底表面沉积透明导电膜,相对于采用金属氧化物的陶瓷靶材的沉积方法,降低了生产成本,而且避免了陶瓷靶材烧结过程中引入的杂质对所沉积透明导电膜性能的影响。