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公开(公告)号：CN113358677B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110628108.5
申请日：2021-06-06
Applicant: 南京国科半导体有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N23/20058
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法，采用分子束外延法生长InAs层，该方法包括步骤：S1：打开Ga源炉快门和Sb源炉快门在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，之后关闭Ga源炉快门和Sb源炉快门；S2：同时打开In源炉快门和As源炉快门在GaSb缓冲层上生长InAs层；S3：生长一段时间后，保持As源炉快门打开，关闭In源炉快门，以形成InAs平滑层，预定时间段后再次打开In源炉快门生长InAs层，再次生长InAs层的过程中利用反射式高能电子衍射强度振荡曲线测得InAs层生长速度。本发明的方法在InAs平滑层基础上生长在InAs层时测定生长速度，更容易得到振荡周期较多且较光滑的RHEED强度振荡曲线，使得InAs层生长速度测定结果更准确。
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公开(公告)号：CN113358677A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110628108.5
申请日：2021-06-06
Applicant: 南京国科半导体有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N23/20058
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法，采用分子束外延法生长InAs层，该方法包括步骤：S1：打开Ga源炉快门和Sb源炉快门在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，之后关闭Ga源炉快门和Sb源炉快门；S2：同时打开In源炉快门和As源炉快门在GaSb缓冲层上生长InAs层；S3：生长一段时间后，保持As源炉快门打开，关闭In源炉快门，以形成InAs平滑层，预定时间段后再次打开In源炉快门生长InAs层，再次生长InAs层的过程中利用反射式高能电子衍射强度振荡曲线测得InAs层生长速度。本发明的方法在InAs平滑层基础上生长在InAs层时测定生长速度，更容易得到振荡周期较多且较光滑的RHEED强度振荡曲线，使得InAs层生长速度测定结果更准确。
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公开(公告)号：CN119776991A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510195452.8
申请日：2025-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种磷化铟单晶的制备方法以及磷化铟单晶可以应用于半导体技术领域。该方法包括：采用多晶合成原料合成磷化铟多晶，多晶合成原料包括第一原料和第二原料，第一原料包括高纯铟和氧化铟，第二原料为高纯红磷，氧化铟能够分解为氧气和铟，基于磷化铟多晶，生长磷化铟单晶，利用紫外‑臭氧法清洗磷化铟单晶。由于氧化铟可以分解为氧气和铟，氧气和碳生成二氧化碳气体，因此可以有效去除原料中的碳沾污和有机物沾污，且不会引入新的杂质。紫外‑臭氧处理使用干燥介质，节省了将整个设备组件和原料浸入处理溶液的需求，当紫外线辐射与臭氧结合使用时，碳污染物和有机物污染物能够同时被高效去除。
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![偏[111]晶向锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法](/CN/2015/1/52/images/201510261309.jpg)
公开(公告)号：CN104862702A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510261309.0
申请日：2015-05-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种适合[100]偏[111]晶向的锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法，该方法包括：配置腐蚀液；将配置好的腐蚀液置于恒温水浴锅内加热；对锗单晶片进行表面清洁；将锗单晶片浸于腐蚀液内进行腐蚀，时间为5分钟；对腐蚀过的锗单晶片进行淋洗和吹干；最后在金相显微镜下观察腐蚀后的形貌。本发明的腐蚀方法可以有效的腐蚀出位错坑，腐蚀速率适中，反应过程温和可控，对于检测[100]偏[111]的锗单晶片位错密度，简便可行，不易出现水波纹等干扰图案。
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公开(公告)号：CN101440516A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710177780.7
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及新材料技术领域，特别是利用闭管式化学气相传输法生长氧化锌(ZnO)体单晶的过程中，生长出可控掺杂的氧化锌体单晶的方法。闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法是在封闭的石英管内，一端放置高纯ZnO粉作为源及少量的高纯碳作为传输剂，另一端放置籽晶，通过控制放入源区的掺杂物质的量及源区和生长区的温度分布实现气相传输，生长掺杂可控的ZnO体单晶。选用一端为平面封口的圆形石英管作外管，再选用一根外径与籽晶片直径相同的石英管作内管，用来顶住籽晶片，使其固定在石英管的平面端。把要掺杂的物质直接与ZnO粉及高纯碳粉放置在内管的另一端，然后外管接真空系统，抽真空后用石英封泡封闭，将封好口的石英管放入水平加热炉内升温加热，控制温度分布进行掺杂ZnO单晶生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1978713A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510126238.X
申请日：2005-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领域，特别是一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法。在封闭的石英管内，一端放置高纯ZnO粉作为源，另一端放置籽晶，通过控制源区与生长区的温度分布实现气相传输，生长ZnO体单晶，在生长过程中放入少量的高纯碳。选用一端为平面封口的圆形石英管作外管，再选用一根外径与籽晶片直径相同的石英管称为内管，用来顶住籽晶片，使其固定在石英管的平面端，ZnO粉放置在内管的另一端，同时放入少量的高纯碳粉，然后外管接真空系统，抽真空后用石英封泡封闭，将封好口的石英管放入水平加热炉内升温加热，控制温度分布进行ZnO单晶生 长。
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公开(公告)号：CN1402309A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN01120368.4
申请日：2001-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/302 , C23F1/10 , B24B1/00
Abstract: 本发明提供一种磷化铟单晶片的抛光工艺。采用的化学抛光液由强氧化剂和酸性pH值调节剂组成，其中强氧化剂为过氧化氢，其浓度为100－150克/升，酸性pH值调节剂为乳酸(C3H6O3)、冰醋酸(CH3COOH)或柠檬酸(C6H8O7)等，比较理想的是乳酸，其浓度为60－100克/升。化学抛光液的pH为2－3。抛光时单晶片承受的压力为0.25－0.65Kg/cm2。抛光质量为优良镜面、无桔皮、无白雾。
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公开(公告)号：CN110205681B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201910479476.0
申请日：2019-06-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法，涉及缺陷检测技术领域。砷化铟单晶片位错腐蚀液，主要由盐酸、硫酸和水组成。本发明提供的位错腐蚀液的原料价格低廉、易于得到，腐蚀效率高。本发明还提供了采用上述位错腐蚀液进行位错腐蚀检测的方法，包括如下步骤：将砷化铟单晶片置于腐蚀液中，进行腐蚀，得到位错腐蚀后的砷化铟单晶片，将完成位错腐蚀的砷化铟单晶片的表面进行清洁，再进行观察。本发明提供的位错腐蚀检测方法操作简单、腐蚀效率高，可以快速、清晰地显示砷化铟单晶片中的位错。
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公开(公告)号：CN108831933B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810593479.2
申请日：2018-06-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/054 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 一种背表面场GaSb热光伏电池，包括：一衬底；一背电场层，其制作在衬底的背面；一背电极，其制作在背电场层上；一有源区，其制作在衬底的上面；一前电极，其制作在有源区上面的中间，该前电极的尺寸小于有源区的尺寸。本发明通过在电池背面增加一个nn+结，与原内建电场形成高低结电场，提供空穴势垒，利用能带工程提高光生载流子的收集效率，同时由于背电极附近掺杂浓度高，势垒区宽度更小，利于电子通过隧道效应贯穿势垒，使GaSb与背电极金属形成更好的欧姆接触。从而提高电池的效率。
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公开(公告)号：CN110205681A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910479476.0
申请日：2019-06-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法，涉及缺陷检测技术领域。砷化铟单晶片位错腐蚀液，主要由盐酸、硫酸和水组成。本发明提供的位错腐蚀液的原料价格低廉、易于得到，腐蚀效率高。本发明还提供了采用上述位错腐蚀液进行位错腐蚀检测的方法，包括如下步骤：将砷化铟单晶片置于腐蚀液中，进行腐蚀，得到位错腐蚀后的砷化铟单晶片，将完成位错腐蚀的砷化铟单晶片的表面进行清洁，再进行观察。本发明提供的位错腐蚀检测方法操作简单、腐蚀效率高，可以快速、清晰地显示砷化铟单晶片中的位错。
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