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公开(公告)号：CN113358677B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110628108.5
申请日：2021-06-06
Applicant: 南京国科半导体有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N23/20058
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法，采用分子束外延法生长InAs层，该方法包括步骤：S1：打开Ga源炉快门和Sb源炉快门在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，之后关闭Ga源炉快门和Sb源炉快门；S2：同时打开In源炉快门和As源炉快门在GaSb缓冲层上生长InAs层；S3：生长一段时间后，保持As源炉快门打开，关闭In源炉快门，以形成InAs平滑层，预定时间段后再次打开In源炉快门生长InAs层，再次生长InAs层的过程中利用反射式高能电子衍射强度振荡曲线测得InAs层生长速度。本发明的方法在InAs平滑层基础上生长在InAs层时测定生长速度，更容易得到振荡周期较多且较光滑的RHEED强度振荡曲线，使得InAs层生长速度测定结果更准确。
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公开(公告)号：CN113484941B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110781608.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 南京国科半导体有限公司
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明提供了一种微透镜阵列耦合反射层结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备微透镜阵列，其中，所述微透镜阵列包括量子点及包覆所述量子点的上盖层，所述上盖层表面为周期阵列排布的凸起结构；将所述微透镜阵列从所述衬底上剥离后转移至广谱反射层上，以形成所述微透镜阵列耦合反射层结构。本发明结合剥离工艺将微透镜阵列与反射层结构耦合，可以实现提取效率达到60％。并且该种剥离转移工艺不需要生长较多对数的DBR结构，且相对于下DBR结构可实现更高的提取效率，在后续压电调谐等方面有很大的优势，在量子光源、发光二极管、光电探测器等领域均有很大的实际应用价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113484941A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110781608.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 南京国科半导体有限公司
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明提供了一种微透镜阵列耦合反射层结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备微透镜阵列，其中，所述微透镜阵列包括量子点及包覆所述量子点的上盖层，所述上盖层表面为周期阵列排布的凸起结构；将所述微透镜阵列从所述衬底上剥离后转移至广谱反射层上，以形成所述微透镜阵列耦合反射层结构。本发明结合剥离工艺将微透镜阵列与反射层结构耦合，可以实现提取效率达到60％。并且该种剥离转移工艺不需要生长较多对数的DBR结构，且相对于下DBR结构可实现更高的提取效率，在后续压电调谐等方面有很大的优势，在量子光源、发光二极管、光电探测器等领域均有很大的实际应用价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113327991A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110546523.6
申请日：2021-05-19
Applicant: 南京国科半导体有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及探测器技术领域，公开了一种双色探测器及其制备方法，该探测器包括：依次生长在GaAs衬底上的平滑层、成核层、GaSb或AlSb第一缓冲层、AlInSb第二缓冲层、InAsSb中长波通道层、InGaSb间隔层和InGaSb短中波通道层，所述InAsSb中长波通道层由下至上包括：第一N型下接触层、N型吸收层、B型AlInSb势垒层及N型上接触层，所述InGaSb短中波通道层由下至上包括：第二N型下接触层、I型吸收层和P型上接触层，第一N型下接触层之上设有下电极，所述P型上接触层之上设有上电极，所述上电极和下电极通过钝化层隔绝。本发明双色探测器在设计时能够通过微调材料组分以在较宽的光谱范围内实现探测谱段的灵活选择，使单一器件结构可覆盖宽光谱探测需求。同时实现大尺寸焦面制作。
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公开(公告)号：CN113327991B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110546523.6
申请日：2021-05-19
Applicant: 南京国科半导体有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及探测器技术领域，公开了一种双色探测器及其制备方法，该探测器包括：依次生长在GaAs衬底上的平滑层、成核层、GaSb或AlSb第一缓冲层、AlInSb第二缓冲层、InAsSb中长波通道层、InGaSb间隔层和InGaSb短中波通道层，所述InAsSb中长波通道层由下至上包括：第一N型下接触层、N型吸收层、B型AlInSb势垒层及N型上接触层，所述InGaSb短中波通道层由下至上包括：第二N型下接触层、I型吸收层和P型上接触层，第一N型下接触层之上设有下电极，所述P型上接触层之上设有上电极，所述上电极和下电极通过钝化层隔绝。本发明双色探测器在设计时能够通过微调材料组分以在较宽的光谱范围内实现探测谱段的灵活选择，使单一器件结构可覆盖宽光谱探测需求。同时实现大尺寸焦面制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113540973A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110818874.8
申请日：2021-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 南京国科半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多波长集成单模激光种子源，包括：一个集成温控的旋转平台；多个激光器管芯，每个激光器管芯分别具有不同的增益谱峰值；一个光纤分束器，包括：输入端的一支输入光纤和输出端的多支光纤光栅，其中，输入光纤固定于与激光器管芯耦合的最佳位置处，多支光纤光栅同时接收与输入光纤耦合的激光器管芯输出的激光；其中，每支光纤光栅分别具有与每个激光器管芯增益谱峰值对应的光栅反射谱，能够对相应的激光器管芯进行选模，从而实现特定波长的单模激光输出。
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公开(公告)号：CN113327992A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110545359.7
申请日：2021-05-19
Applicant: 南京国科半导体有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/11
Abstract: 本发明涉及探测器技术领域，公开了一种中波超晶格红外探测器，包括：由下至上依次形成在衬底结构上的下电极接触层、器件核心层和上盖层，所述下电极接触层之上设有下电极，所述上盖层之上设有上电极；所述器件核心层包括：N型InAs/InAsSb超晶格第一接触层、AlGaAsSb势垒层、N型InAs/InAsSb超晶格吸收层和N型InAs/InAsSb超晶格第二接触层，所述AlGaAsSb势垒层和N型InAs/InAsSb吸收层位于InAs/InAsSb超晶格第一接触层和InAs/InAsSb超晶格第二接触层之间，且AlGaAsSb势垒层禁带宽度大于N型InAs/InAsSb超晶格吸收层的禁带宽度。本发明的中波超晶格红外探测器能够抑制低温下红外探测器件的产生复合电流，从而降低器件的暗电流密度，达到降低探测器的噪声的效果。
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公开(公告)号：CN113358677A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110628108.5
申请日：2021-06-06
Applicant: 南京国科半导体有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N23/20058
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法，采用分子束外延法生长InAs层，该方法包括步骤：S1：打开Ga源炉快门和Sb源炉快门在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，之后关闭Ga源炉快门和Sb源炉快门；S2：同时打开In源炉快门和As源炉快门在GaSb缓冲层上生长InAs层；S3：生长一段时间后，保持As源炉快门打开，关闭In源炉快门，以形成InAs平滑层，预定时间段后再次打开In源炉快门生长InAs层，再次生长InAs层的过程中利用反射式高能电子衍射强度振荡曲线测得InAs层生长速度。本发明的方法在InAs平滑层基础上生长在InAs层时测定生长速度，更容易得到振荡周期较多且较光滑的RHEED强度振荡曲线，使得InAs层生长速度测定结果更准确。
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公开(公告)号：CN119050173A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411227978.1
申请日：2024-09-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种氮化铝真空探测器，可应用于半导体技术领域，包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上沿第一方向依次叠置的氮化铝缓冲层、氮化铝外延层和n型铝镓氮层；氮化铝层、二氧化硅绝缘膜和第一金属接触层，沿第二方向并列设置于n型铝镓氮层远离蓝宝石衬底的一侧，其中第二方向垂直于第一方向；金属铂透明电极，设置于氮化铝层远离蓝宝石衬底的一侧；以及第二金属接触层，设置于金属铂透明电极远离蓝宝石衬底的一侧。通过选用金属铂（Pt）作为透明电极以提高对真空波段的光透过率，提高器件性能。本发明还提供了一种氮化铝真空探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN118589299A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410753370.6
申请日：2024-06-12
Applicant: 南京国科半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，具体涉及一种GaAs基锑化物GaSb量子点外延材料及其制备方法；包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、InAs/GaSb量子点和GaAs盖层，GaAs衬底的上表面生长有GaAs缓冲层，GaAs缓冲层的上表面生长有InAs淀积层，InAs淀积层的上表面生长有GaSb淀积层，此两层构成InAs/GaSb量子点，量子点上生长有GaAs盖层；制备方法为：设置GaAs衬底转速，加热GaAs衬底；在GaAs衬底脱氧后，在580℃温度下生长GaAs缓冲层；降温至500℃生长量子点；生长GaAs盖层，通过上述方式，获得便于制备的效果。
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