公开(公告)号：CN118917367A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410955218.6

申请日：2024-07-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 王欣然 ,  宁宏凯 ,  于志浩 ,  温恒迪 ,  罗夕艾

IPC: G06N3/0495 ,  G06N3/08

Abstract: 本申请公开了一种支撑无索引稀疏训练的铁电晶体管单元及存算一体硬件，铁电晶体管单元包括：第一非易失晶体管，包括第一源极、第一漏极和第一栅极；第二非易失晶体管，包括第二源极、第二漏极和第二栅极；稀疏线，与第一栅极连接；位线，与第一源极连接；数据输入线，与第二源极连接；数据输出线，与第二漏极连接；其中，第一漏极和第二栅极连接，第一非易失晶体管用于基于稀疏线的信号控制第二非易失晶体管的开关，第二非易失晶体管用于权重更新和数据处理存储。本申请实现了稀疏性信息的原位存储，使其与权重信息一同参与稀疏训练过程，免除了外部索引过程，支持任何非结构化的、任何粗细粒度剪枝的稀疏训练，实现了理论上的能耗和时延优势。

公开(公告)号：CN115966582A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202110601695.9

申请日：2021-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 王欣然 ,  刘斌 ,  孟琬青 ,  许非凡 ,  于志浩 ,  陶涛

IPC: H01L27/15 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开一种单片异质集成的microLED显示芯片，采用外延片上microLED柱阵列，与二维半导体薄膜晶体管矩阵作为驱动电路进行垂直单片异质集成。本发明还公开了其制备方法。本发明避免了传统microLED显示芯片制备工艺中的巨量转移，利用二维半导体可大面积转移和低温器件工艺等特点，可以实现1000PPI以上高分辨microLED显示芯片。同时，二维半导体的高迁移率可以满足microLED显示芯片对高驱动电流、低电压的要求，实现主动寻址的microLED扫描屏幕图像与动画显示。该发明兼容透明与柔性显示要求，在未来超高分辨、超高亮度显示、可见光通讯中具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN110158048B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201910356258.8

申请日：2019-04-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 王欣然 ,  李卫胜 ,  周健 ,  于志浩 ,  施毅

IPC: C23C16/02 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种在二维层状材料上生长超薄高质量氧化物薄膜的方法及其应用，该方法包括如下步骤：(1)采用范德瓦尔斯外延生长技术在二维层状材料上生长单层有机染料分子薄膜；(2)利用原子层沉积技术，以单层有机染料分子薄膜作为种子层，在二维层状材料上生长出超薄均匀的氧化物薄膜。本发明通过范德瓦尔斯外延在二维层状材料表面生长单层的有机染料分子薄膜做种子层，可以做到对二维层状材料近乎无损伤，而且在该种子层上可沉积得到超薄且均匀致密的高质量氧化物薄膜；同时，该生长方法成本低廉，加工实现简单；利用本发明方法制备的氧化物薄膜可以在很薄的情况下，仍保持优异的均匀性和耐压性，可适用于多种形式下的电子器件应用。

公开(公告)号：CN110158048A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910356258.8

申请日：2019-04-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 王欣然 ,  李卫胜 ,  周健 ,  于志浩 ,  施毅

IPC: C23C16/02 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种在二维层状材料上生长超薄高质量氧化物薄膜的方法及其应用，该方法包括如下步骤：(1)采用范德瓦尔斯外延生长技术在二维层状材料上生长单层有机染料分子薄膜；(2)利用原子层沉积技术，以单层有机染料分子薄膜作为种子层，在二维层状材料上生长出超薄均匀的氧化物薄膜。本发明通过范德瓦尔斯外延在二维层状材料表面生长单层的有机染料分子薄膜做种子层，可以做到对二维层状材料近乎无损伤，而且在该种子层上可沉积得到超薄且均匀致密的高质量氧化物薄膜；同时，该生长方法成本低廉，加工实现简单；利用本发明方法制备的氧化物薄膜可以在很薄的情况下，仍保持优异的均匀性和耐压性，可适用于多种形式下的电子器件应用。

公开(公告)号：CN118917368A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410956818.4

申请日：2024-07-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 王欣然 ,  宁宏凯 ,  孟苑 ,  于志浩 ,  傅玉祥 ,  温恒迪 ,  罗夕艾

IPC: G06N3/0495 ,  G06N3/084

Abstract: 本申请公开了一种稀疏神经网络的矢量近似更新方法及应用，方法包括获取神经网络中待更新的权重参数的精确梯度参数，得到精确梯度信息；为矩阵结构中同行的多个权重参数以及同列的多个权重参数构建相同的更新脉冲；构建操作矩阵变量；基于操作矩阵变量构建梯度矩阵变量；以精确梯度矩阵为梯度矩阵变量的目标，拟合求解操作矩阵变量，得到最优操作矩阵；基于所述最优操作矩阵，更新所述权重矩阵的权重参数。本申请的矢量近似更新方法全程无需对稀疏信息进行外部索引，大大降低了稀疏训练过程中的时间开销和能耗开销；在稀疏神经网络更新过程中具有媲美传统的逐个单元更新的精确更新算法的更新精度和训练效果。

公开(公告)号：CN115064588A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210466261.7

申请日：2022-04-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 王欣然 ,  李卫胜 ,  于志浩 ,  施毅

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种二维半导体‑金属欧姆接触结构、制备方法及应用，欧姆接触结构包括二维半导体层，二维半导体层上沉积半金属锑或含有半金属锑的合金形成欧姆接触，通过真空蒸镀的方式将半金属锑沉积在二维半导体层上，可以应用在半导体器件中。本发明可以实现金属‑二维半导体间超低接触电阻，显著提升二维半导体器件的性能。