单片异质集成的microLED显示芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN115966582A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202110601695.9

    申请日:2021-05-31

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开一种单片异质集成的microLED显示芯片,采用外延片上microLED柱阵列,与二维半导体薄膜晶体管矩阵作为驱动电路进行垂直单片异质集成。本发明还公开了其制备方法。本发明避免了传统microLED显示芯片制备工艺中的巨量转移,利用二维半导体可大面积转移和低温器件工艺等特点,可以实现1000PPI以上高分辨microLED显示芯片。同时,二维半导体的高迁移率可以满足microLED显示芯片对高驱动电流、低电压的要求,实现主动寻址的microLED扫描屏幕图像与动画显示。该发明兼容透明与柔性显示要求,在未来超高分辨、超高亮度显示、可见光通讯中具有广泛的应用前景。

Patent Agency Ranking