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公开(公告)号：CN110112172B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201910428357.2
申请日：2019-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓纳米孔阵列/量子点混合结构的全色微米LED显示芯片。在硅基片的GaN蓝光LED外延层上，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式矩形台面结构，每个矩形台面结构构成一个RGB像素单元。在每个矩形像素单元中，都包含三块红光、绿光和蓝光矩形亚像素区域，相邻亚像素区域之间由隔离槽隔开。每个亚像素区域中设纳米孔阵列结构，并填充红色和绿色量子点，通过量子点颜色转换实现全色显示。还公开了其制备方法。该器件利用纳米孔结构提高量子点的稳定性与寿命，同时利用量子点间的能量共振转移，有效提高其内量子效率与色转换效率，能够实现高分辨、高色域、高对比度的全色显示。
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公开(公告)号：CN110112172A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910428357.2
申请日：2019-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓纳米孔阵列/量子点混合结构的全色微米LED显示芯片。在硅基片的GaN蓝光LED外延层上，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式矩形台面结构，每个矩形台面结构构成一个RGB像素单元。在每个矩形像素单元中，都包含三块红光、绿光和蓝光矩形亚像素区域，相邻亚像素区域之间由隔离槽隔开。每个亚像素区域中设纳米孔阵列结构，并填充红色和绿色量子点，通过量子点颜色转换实现全色显示。还公开了其制备方法。该器件利用纳米孔结构提高量子点的稳定性与寿命，同时利用量子点间的能量共振转移，有效提高其内量子效率与色转换效率，能够实现高分辨、高色域、高对比度的全色显示。
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公开(公告)号：CN115966582A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202110601695.9
申请日：2021-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/15 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开一种单片异质集成的microLED显示芯片，采用外延片上microLED柱阵列，与二维半导体薄膜晶体管矩阵作为驱动电路进行垂直单片异质集成。本发明还公开了其制备方法。本发明避免了传统microLED显示芯片制备工艺中的巨量转移，利用二维半导体可大面积转移和低温器件工艺等特点，可以实现1000PPI以上高分辨microLED显示芯片。同时，二维半导体的高迁移率可以满足microLED显示芯片对高驱动电流、低电压的要求，实现主动寻址的microLED扫描屏幕图像与动画显示。该发明兼容透明与柔性显示要求，在未来超高分辨、超高亮度显示、可见光通讯中具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109841710A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910293737.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件，将硅基GaN Micro-LED阵列器件的硅衬底层刻蚀掉，然后在硅衬底层的位置粘合上玻璃基板。并公开其制备方法。本发明的可用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件，首先在硅衬底上制备Micro-LED阵列器件，然后利用粘结键合和刻蚀技术将器件转移到玻璃基板上。本发明通过绝缘层使得Micro-LED阵列器件的漏电流更小，不易被氧化；使用硅衬底降低制备成本，更有利于走剥离衬底的路线；通过粘结键合、湿法腐蚀、等离子体刻蚀等方法，将GaN Micro-LED阵列器件从硅衬底转移到了玻璃基板上，实现了背面出光，可以用于透明显示。
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公开(公告)号：CN109841710B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201910293737.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于透明显示的GaN Micro‑LED阵列器件，将硅基GaN Micro‑LED阵列器件的硅衬底层刻蚀掉，然后在硅衬底层的位置粘合上玻璃基板。并公开其制备方法。本发明的可用于透明显示的GaN Micro‑LED阵列器件，首先在硅衬底上制备Micro‑LED阵列器件，然后利用粘结键合和刻蚀技术将器件转移到玻璃基板上。本发明通过绝缘层使得Micro‑LED阵列器件的漏电流更小，不易被氧化；使用硅衬底降低制备成本，更有利于走剥离衬底的路线；通过粘结键合、湿法腐蚀、等离子体刻蚀等方法，将GaN Micro‑LED阵列器件从硅衬底转移到了玻璃基板上，实现了背面出光，可以用于透明显示。
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公开(公告)号：CN110993762A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911334325.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体的Micro-LED阵列器件，刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式扇形台面结构，p型阵列电极，蒸镀在扇形阵列的p型GaN层上，n型阵列电极，蒸镀在n型GaN层上，且n型阵列电极形成挡墙，将各扇形台面相互隔离。并公开了其制备方法。本发明通过在Micro-LED扇形台面阵列的发光单元之间增设n型电极所做的挡墙，挡墙宽度仅为6-10μm，在不显著增加器件尺寸的前提下，有效解决了器件各发光单元之间相互串扰的问题，有利于实现单独控制；利用n型电极金属做挡墙以及采用网状结构的p型电极，增加了电流扩展范围，有效提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN114420686A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210092568.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用柔性纳米柱贴膜制备高分辨纳米像元显示阵列的方法，在衬底上外延并刻蚀GaN基LED纳米柱，将纳米柱转移到柔性临时衬底并去除原有衬底至N型GaN层，得到柔性纳米柱贴膜，将柔性纳米柱贴膜的N型GaN层表面与驱动电路基板通过In电极进行倒装键合，再去除柔性临时衬底，得到高分辨纳米像元显示阵列。本发明利用了柔性纳米柱贴膜方法实现巨量的纳米像元转移，通过高密度纳米阵列规避了巨量转移中的对准对位问题，在无需光刻对准的情况下，实现以单个In电极分别控制若干个GaN纳米柱发光，达成亚微米级分辨率的目标。
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公开(公告)号：CN110993762B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201911334325.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体的Micro‑LED阵列器件，刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式扇形台面结构，p型阵列电极，蒸镀在扇形阵列的p型GaN层上，n型阵列电极，蒸镀在n型GaN层上，且n型阵列电极形成挡墙，将各扇形台面相互隔离。并公开了其制备方法。本发明通过在Micro‑LED扇形台面阵列的发光单元之间增设n型电极所做的挡墙，挡墙宽度仅为6‑10μm，在不显著增加器件尺寸的前提下，有效解决了器件各发光单元之间相互串扰的问题，有利于实现单独控制；利用n型电极金属做挡墙以及采用网状结构的p型电极，增加了电流扩展范围，有效提高了发光效率。
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