公开(公告)号：CN117637813A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311670062.9

申请日：2023-12-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈鹏 ,  梁子彤 ,  殷鑫燕 ,  刘先程 ,  牛天豪 ,  谢自力 ,  修向前 ,  陈敦军 ,  刘斌 ,  赵红 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开了Si衬底上一种具有反向掺杂层的高耐压的横向肖特基二极管，其结构自下而上依次包括：p型Si衬底层、成核层、反向掺杂层、缓冲层、沟道层和势垒层，在沟道层和势垒层界面处产生二维电子气，在成核层与缓冲层之间还设有反向掺杂层，所述反向掺杂层为n‑GaN、n‑AlGaN或者n‑GaN/n‑AlGaN组合。本发明在成核层和缓冲层之间生长反向掺杂层，吸收从顶部扩散下来的外加电场，降低到达p型Si衬底界面的电场强度，延缓Si衬底表面反型层的出现，降低通过Si衬底出现的漏电流以及来自Si的感应电荷，专门针对Si衬底上制备的GaN基肖特基二极管器件，提高反向耐压性能；也同时降低来自Si衬底电荷的影响，提高GaN肖特基二极管的开关速度。