公开(公告)号：CN101289172B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810023437.1

申请日：2008-04-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  聂超 ,  刘启家 ,  刘斌 ,  李弋 ,  修向前 ,  韩平 ,  赵红 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  胡立群 ,  郑有炓

IPC: C01B21/06 ,  C01G15/00

Abstract: 本发明通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法，以GaAs或Si或蓝宝石做为衬底，通过气相传输法在衬底的自然解理面上生成InN纳米线和纳米棒，该方法简单实用，无需催化剂，在常压下即可进行，且生长的纳米线为六方晶系单晶结构，纳米棒为立方晶系单晶结构，质量高，本发明方法是一种得到立方晶系一维InN纳米结构的有效途径。

公开(公告)号：CN101289172A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810023437.1

申请日：2008-04-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  聂超 ,  刘启家 ,  刘斌 ,  李弋 ,  修向前 ,  韩平 ,  赵红 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  胡立群 ,  郑有炓

IPC: C01B21/06 ,  C01G15/00

Abstract: 本发明通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法，以GaAs或Si或蓝宝石做为衬底，通过气相传输法在衬底的自然解理面上生成InN纳米线和纳米棒，该方法简单实用，无需催化剂，在常压下即可进行，且生长的纳米线为六方晶系单晶结构，纳米棒为立方晶系单晶结构，质量高，本发明方法是一种得到立方晶系一维InN纳米结构的有效途径。