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公开(公告)号：CN101314845B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200810124207.4
申请日：2008-07-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用，设有3-5路进气管路，其中一路为V族氮源管路，一路为III族金属源混合管路，其余各路为独立的III族金属源管路，各路不同的源管路直接在靠近到达反应腔时再和其它反应源混合。本发明通过单独设计TMA1源等易发生副反应的III族金属源管路的方法彻底解决了此类金属源的在设备管路中的反应滞留和对其它MO源的沾污，以及在管路输运过程中的预分解混合，特别适合于UV-LED，UV-LD的AlGaN及其相关材料生长的MOCVD设备系统，可用于使用MO源的所有CVD、HVPE以及MBE等半导体材料生长设备之中，本发明在目前使用的半导体材料生长设备中尚没有使用。
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公开(公告)号：CN101314845A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810124207.4
申请日：2008-07-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用，设有3－5路进气管路，其中一路为V族氮源管路，一路为III族金属源混合管路，其余各路为独立的III族金属源管路，各路不同的源管路直接在靠近到达反应腔时再和其它反应源混合。本发明通过单独设计TMAl源等易发生副反应的III族金属源管路的方法彻底解决了此类金属源的在设备管路中的反应滞留和对其它MO源的沾污，以及在管路输运过程中的预分解混合，特别适合于UV－LED，UV－LD的AlGaN及其相关材料生长的MOCVD设备系统，可用于使用MO源的所有CVD、HVPE以及MBE等半导体材料生长设备之中，本发明在目前使用的半导体材料生长设备中尚没有使用。
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公开(公告)号：CN101289172B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810023437.1
申请日：2008-04-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法，以GaAs或Si或蓝宝石做为衬底，通过气相传输法在衬底的自然解理面上生成InN纳米线和纳米棒，该方法简单实用，无需催化剂，在常压下即可进行，且生长的纳米线为六方晶系单晶结构，纳米棒为立方晶系单晶结构，质量高，本发明方法是一种得到立方晶系一维InN纳米结构的有效途径。
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公开(公告)号：CN100532638C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810098864.6
申请日：2008-05-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 非极性面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中生长，通过选择[1120]的R面蓝宝石做衬底材料，首先，在MOCVD系统中对生长的R面蓝宝石衬底在900-1100℃温度下进行材料热处理，时间为5-60分钟；或然后通入氨气进行表面氮化，在900-1100℃温度下时间为10-120分钟；再在900-1100℃温度范围通入H2和/或N2作为载气、氨气和金属有机镓源作为生长气源；通过控制载气，生长气源气体流量以及生长温度参数，在选择的衬底某晶面的蓝宝石衬底上合成生长非极性面的a面或m面GaN材料。
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公开(公告)号：CN101330005A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810124346.7
申请日：2008-06-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01F41/22
Abstract: 本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂，在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体，可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材料GaMnN薄膜可用于自旋电子学器件，依据不同的器件应用生长不同的外延结构，可以制备自旋场效应管，自旋发光二极管，应用于量子计算等领域。本发明可有效地控制GaMnN材料的生长，获得高质量的Mn掺杂的GaN薄膜材料，研究发现Mn掺杂的GaN的本征磁性为顺磁性。本发明与现有的半导体材料生长工艺完全兼容，在材料生长掺杂技术以及生长工艺上属于首次。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101315881A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810124323.6
申请日：2008-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/8247 , C23C14/28
Abstract: LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材，用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜；控制生长腔的真空在10－3Torr以上；将衬底温度升至300－900度，然后向腔内通入高纯氧，氧压控制在5－90帕；调整激光器频率设置为5HZ，能量为300mJ，并预先将激光预溅射靶材3－5分钟，清洁衬底表面的污染；最后，将脉冲激光聚焦于靶材上，打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN101289172A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810023437.1
申请日：2008-04-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法，以GaAs或Si或蓝宝石做为衬底，通过气相传输法在衬底的自然解理面上生成InN纳米线和纳米棒，该方法简单实用，无需催化剂，在常压下即可进行，且生长的纳米线为六方晶系单晶结构，纳米棒为立方晶系单晶结构，质量高，本发明方法是一种得到立方晶系一维InN纳米结构的有效途径。
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公开(公告)号：CN101315881B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810124323.6
申请日：2008-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/8247 , C23C14/28
Abstract: LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材，用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜；控制生长腔的真空在10-3Torr以上；将衬底温度升至300-900度，然后向腔内通入高纯氧，氧压控制在5-90帕；调整激光器频率设置为5Hz，能量为300mJ，并预先将激光预溅射靶材3-5分钟，清洁衬底表面的污染；最后，将脉冲激光聚焦于靶材上，打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN100533667C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810124346.7
申请日：2008-06-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01F41/22
Abstract: 本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂，在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体，可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材料GaMnN薄膜可用于自旋电子学器件，依据不同的器件应用生长不同的外延结构，可以制备自旋场效应管，自旋发光二极管，应用于量子计算等领域。本发明可有效地控制GaMnN材料的生长，获得高质量的Mn掺杂的GaN薄膜材料，研究发现Mn掺杂的GaN的本征磁性为顺磁性。本发明与现有的半导体材料生长工艺完全兼容，在材料生长掺杂技术以及生长工艺上属于首次。
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公开(公告)号：CN101319400B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810024894.2
申请日：2008-05-19
Applicant: 南京大学
Abstract: Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料合成方法是：采用MOCVD生长方法，(1)在蓝宝石衬底上高温氮化处理衬底材料，在MOCVD生长系统中通入H2、N2或H2和N2气体对蓝宝石衬底进行1000-1100℃温度下衬底表面处理，(2)生长低温GaN缓冲层，(3)生长高温GaN缓冲层，低温和高温GaN缓冲层的厚度均为0.5um-2um；(4)在GaN高温缓冲层上通过Fe掺杂控制合成生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料，在900-1150℃温度下通入流量范围分别为0.1-5slm、1-10sccm和15-200sccm的氨气、三甲基镓和二茂铁(CP2Fe)，生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料；生长腔压力保持5-500Torr。
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