半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用

    公开(公告)号:CN101314845B

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN200810124207.4

    申请日:2008-07-03

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用,设有3-5路进气管路,其中一路为V族氮源管路,一路为III族金属源混合管路,其余各路为独立的III族金属源管路,各路不同的源管路直接在靠近到达反应腔时再和其它反应源混合。本发明通过单独设计TMA1源等易发生副反应的III族金属源管路的方法彻底解决了此类金属源的在设备管路中的反应滞留和对其它MO源的沾污,以及在管路输运过程中的预分解混合,特别适合于UV-LED,UV-LD的AlGaN及其相关材料生长的MOCVD设备系统,可用于使用MO源的所有CVD、HVPE以及MBE等半导体材料生长设备之中,本发明在目前使用的半导体材料生长设备中尚没有使用。

    半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用

    公开(公告)号:CN101314845A

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:CN200810124207.4

    申请日:2008-07-03

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用,设有3-5路进气管路,其中一路为V族氮源管路,一路为III族金属源混合管路,其余各路为独立的III族金属源管路,各路不同的源管路直接在靠近到达反应腔时再和其它反应源混合。本发明通过单独设计TMAl源等易发生副反应的III族金属源管路的方法彻底解决了此类金属源的在设备管路中的反应滞留和对其它MO源的沾污,以及在管路输运过程中的预分解混合,特别适合于UV-LED,UV-LD的AlGaN及其相关材料生长的MOCVD设备系统,可用于使用MO源的所有CVD、HVPE以及MBE等半导体材料生长设备之中,本发明在目前使用的半导体材料生长设备中尚没有使用。

    GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN101330005A

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:CN200810124346.7

    申请日:2008-06-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂,在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体,可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材料GaMnN薄膜可用于自旋电子学器件,依据不同的器件应用生长不同的外延结构,可以制备自旋场效应管,自旋发光二极管,应用于量子计算等领域。本发明可有效地控制GaMnN材料的生长,获得高质量的Mn掺杂的GaN薄膜材料,研究发现Mn掺杂的GaN的本征磁性为顺磁性。本发明与现有的半导体材料生长工艺完全兼容,在材料生长掺杂技术以及生长工艺上属于首次。

    GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN100533667C

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200810124346.7

    申请日:2008-06-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂,在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体,可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材料GaMnN薄膜可用于自旋电子学器件,依据不同的器件应用生长不同的外延结构,可以制备自旋场效应管,自旋发光二极管,应用于量子计算等领域。本发明可有效地控制GaMnN材料的生长,获得高质量的Mn掺杂的GaN薄膜材料,研究发现Mn掺杂的GaN的本征磁性为顺磁性。本发明与现有的半导体材料生长工艺完全兼容,在材料生长掺杂技术以及生长工艺上属于首次。

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