公开(公告)号：CN108511324B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201810299196.7

申请日：2018-04-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 王学锋 ,  刘晨晨 ,  张敏昊 ,  钮伟

IPC: H01L21/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法,纳米片的制备方法是化学气相沉积(CVD)技术，在46Pa附近的本底真空下，通过高纯氩气作为载体，在恒定温度的衬底上进行生长，之后再在氩气氛围下进行退火。本发明所得到的γ‑In2Se3纳米片组分均匀，形貌为正六边形，尺寸大小在5μm左右，有利于对材料进行光刻等微加工工艺，为制备光电子、光伏等器件提供更简单易行的制备工艺。同时γ‑In2Se3纳米片材料制备参数易调整，设备简单，易操作，生长过程可控，工艺重复性好，具有较高的制备效率。它在光电子学领域的独特优势将为新型光伏器件的应用打下基础。

公开(公告)号：CN108511324A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810299196.7

申请日：2018-04-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 王学锋 ,  刘晨晨 ,  张敏昊 ,  钮伟

IPC: H01L21/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法,纳米片的制备方法是化学气相沉积(CVD)技术，在46Pa附近的本底真空下，通过高纯氩气作为载体，在恒定温度的衬底上进行生长，之后再在氩气氛围下进行退火。本发明所得到的γ-In2Se3纳米片组分均匀，形貌为正六边形，尺寸大小在5μm左右，有利于对材料进行光刻等微加工工艺，为制备光电子、光伏等器件提供更简单易行的制备工艺。同时γ-In2Se3纳米片材料制备参数易调整，设备简单，易操作，生长过程可控，工艺重复性好，具有较高的制备效率。它在光电子学领域的独特优势将为新型光伏器件的应用打下基础。