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公开(公告)号：CN106048726A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610522649.9
申请日：2016-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 钇铁石榴石薄膜的外延生长方法，将装有处理好的钆镓石榴石基片的置真空腔室，并将钆镓石榴石基片加热到恒定温度736℃；加热过程中，加热到250℃的时候通入臭氧；加热至736℃之后，保持真空腔气压，将臭氧的质量分数调节至40％，同时保温半小时，打开反射式高能电子衍射仪RHEED调节出衬底的衍射斑点；全程保持RHEED的实时和原位监控，采用波长248nm的KrF准分子激光器将激光通过透镜聚焦到YIG靶材上；完成薄膜生长后，基片温度保持不变，原位退火约15min，然后将薄膜自然冷却至约250℃，停止保护气体再冷却至室温。本发明所得到的YIG薄膜组分均匀、厚度可控工艺重复性好，具有较高的制备效率。
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公开(公告)号：CN108511324A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810299196.7
申请日：2018-04-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法,纳米片的制备方法是化学气相沉积(CVD)技术，在46Pa附近的本底真空下，通过高纯氩气作为载体，在恒定温度的衬底上进行生长，之后再在氩气氛围下进行退火。本发明所得到的γ-In2Se3纳米片组分均匀，形貌为正六边形，尺寸大小在5μm左右，有利于对材料进行光刻等微加工工艺，为制备光电子、光伏等器件提供更简单易行的制备工艺。同时γ-In2Se3纳米片材料制备参数易调整，设备简单，易操作，生长过程可控，工艺重复性好，具有较高的制备效率。它在光电子学领域的独特优势将为新型光伏器件的应用打下基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108511324B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201810299196.7
申请日：2018-04-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法,纳米片的制备方法是化学气相沉积(CVD)技术，在46Pa附近的本底真空下，通过高纯氩气作为载体，在恒定温度的衬底上进行生长，之后再在氩气氛围下进行退火。本发明所得到的γ‑In2Se3纳米片组分均匀，形貌为正六边形，尺寸大小在5μm左右，有利于对材料进行光刻等微加工工艺，为制备光电子、光伏等器件提供更简单易行的制备工艺。同时γ‑In2Se3纳米片材料制备参数易调整，设备简单，易操作，生长过程可控，工艺重复性好，具有较高的制备效率。它在光电子学领域的独特优势将为新型光伏器件的应用打下基础。
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公开(公告)号：CN106048726B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610522649.9
申请日：2016-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 钇铁石榴石薄膜的外延生长方法，将装有处理好的钆镓石榴石基片的置真空腔室，并将钆镓石榴石基片加热到恒定温度736℃；加热过程中，加热到250℃的时候通入臭氧；加热至736℃之后，保持真空腔气压，将臭氧的质量分数调节至40％，同时保温半小时，打开反射式高能电子衍射仪RHEED调节出衬底的衍射斑点；全程保持RHEED的实时和原位监控，采用波长248nm的KrF准分子激光器将激光通过透镜聚焦到YIG靶材上；完成薄膜生长后，基片温度保持不变，原位退火约15min，然后将薄膜自然冷却至约250℃，停止保护气体再冷却至室温。本发明所得到的YIG薄膜组分均匀、厚度可控工艺重复性好，具有较高的制备效率。
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公开(公告)号：CN106784303A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611035237.9
申请日：2016-11-17
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L43/10 , C23C14/0623 , C23C14/28 , C23C14/5806 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了一种新型的材料结构设计，在氟晶云母衬底上生长高质量碲化钨薄膜，获得一种结合了柔性和超大不饱和磁阻性质的新结构。所述碲化钨薄膜是W、Te元素以1:2化学计量比形成的化合物，它是一种半金属材料，具有巨大的不饱和磁电阻，低温下可以达到105量级，在加压下还会呈现超导性质。将碲化钨薄膜生长在云母上有利于应力相关研究和开发柔性电子学的应用。薄膜的制备方法是激光分子束外延(L‑MBE)技术，在约4.6×10‑7mbar的本底真空下，在恒定温度的衬底上进行生长，随后在Te蒸气下高温退火。所获得的薄膜表征拉曼信号和XRD信号均与文献记载相吻合，确定为高质量的薄膜。
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公开(公告)号：CN111501086A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010558887.1
申请日：2020-06-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用高温回转炉生长高质量拓扑半金属InBi单晶的方法，块体是In、Bi元素以1:1化学计量比形成的化合物，是具有第二类狄拉克点的拓扑半金属材料，通过低场磁输运测试，块体单晶具有大的载流子浓度1018cm-3和高迁移率，14T未饱和磁阻MR的值到达12000％，低温1.5K、高场60T出项明显振荡；同时角分辨光电子能谱(ARPES)和X射线衍射光谱仪(XRD)的表征，证明了其很高的质量，ARPES分析在ΓXΓ和MXM方向上发现2条nodal-line。制备方法是高温融合后，以1℃/min的速率缓慢降温至室温结晶形成大块单晶，所获得的单晶表征ARPES和XRD信号均与文献记载相吻合，确定为高质量的块体，同时材料制备参数易调整，设备简单，易操作，生长过程可控，工艺重复性好，具有较高的制备效率。
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公开(公告)号：CN106784303B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201611035237.9
申请日：2016-11-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型的材料结构设计，在氟晶云母衬底上生长高质量碲化钨薄膜，获得一种结合了柔性和超大不饱和磁阻性质的新结构。所述碲化钨薄膜是W、Te元素以1:2化学计量比形成的化合物，它是一种半金属材料，具有巨大的不饱和磁电阻，低温下可以达到105量级，在加压下还会呈现超导性质。将碲化钨薄膜生长在云母上有利于应力相关研究和开发柔性电子学的应用。薄膜的制备方法是激光分子束外延(L‑MBE)技术，在约4.6×10‑7mbar的本底真空下，在恒定温度的衬底上进行生长，随后在Te蒸气下高温退火。所获得的薄膜表征拉曼信号和XRD信号均与文献记载相吻合，确定为高质量的的薄膜。
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