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公开(公告)号：CN116825827A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310797064.8
申请日：2023-06-30
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/40 , H01L29/24 , H01L29/861 , H01L21/44
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属硫化物垂直结构二极管及其制备方法，所述二极管包括衬底、底电极、过渡金属硫化物薄膜和顶电极；所述顶电极接触层为金属锑；所述底电极在衬底上利用Grids铜网固定在衬底表面，然后蒸镀金属得到；该过渡金属硫化物垂直结构二极管，利用Grids铜网可以直接获得仪器精度级的表面洁净度，无其它杂质的引入，且表面平滑，这一优势能大程度的加强金属与半导体之间的接触，进而关态电流得到进一步的降低，明显改善了该垂直结构二极管的整流比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116347963A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310168711.9
申请日：2023-02-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属衬底的二维有机半导体单晶薄膜及其制备方法，该薄膜包括衬底、绝缘层、金属层和有机半导体薄膜；金属层制备于绝缘层表面，且制得的金属表面平滑，对生长有机半导体薄膜的溶液具有润湿性；有机半导体薄膜材料为带有烷基侧链的共轭有机小分子。其制备方法包括如下步骤：在衬底上生长绝缘层；在绝缘层表面制备金属层；配制溶液；调节生长参数，生长二维有机半导体单晶薄膜。本发明通过选取合适的衬底和生长条件，直接在金属衬底上实现了二维有机半导体单晶薄膜的高质量、大规模、可控生长，薄膜单晶面积达到了毫米级别，为简化器件结构及制备工艺提供了可能的途径。
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公开(公告)号：CN116249359A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310168702.X
申请日：2023-02-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机垂直分子二极管及其制法、二极管阵列的制法，该二极管包括衬底、绝缘层、底电极、有机半导体薄膜和顶电极；金属层制备于绝缘层表面，且制得的金属表面平滑，对生长有机半导体薄膜的溶液具有润湿性；有机半导体材料为带有烷基侧链的共轭有机小分子。其制法为：在衬底上生长绝缘层，在绝缘层上制备底电极，在底电极上生长有机半导体薄膜；另取衬底制备顶电极；将顶电极金属转移到有机半导体薄膜上，制得。本发明制备的有机垂直分子二极管实现了破纪录的整流比高达108，单位电导超过103S/cm2，本发明还制备了有机垂直分子二极管阵列，阵列实现了100％的产率，表现出高均一性。
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公开(公告)号：CN116133440A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211654225.X
申请日：2022-12-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高频有机平面结构整流二极管，包括衬底、金属背栅、介电层、半导体沟道层、源/漏电极和聚合物封装层；其中，所述半导体沟道层为带有烷基侧链的有机小分子薄膜，且成膜后烷基侧链向外暴露；所述源/漏电极接触层为金属铂；所述源/漏电极单独制备好以后，覆盖聚合物封装层，然后将聚合物封装层和源/漏金属电极无损转移到半导体沟道层上，接触层铂与半导体沟道层有机小分子烷基侧链结合；该高频有机平面结构整流二极管实现了低工作电压下的高频性能，具有64MHz的最高整流特性，电压归一化整流频率达到25.6MHz/V，理论最高整流频率为0.13GHz。
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公开(公告)号：CN107230615B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710316136.7
申请日：2017-05-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯电极的制备与转移方法，包括如下步骤：1)在化学气相沉积系统中生长石墨烯，并将石墨烯转移到平整干净的衬底表面；2)用紫外臭氧对石墨烯进行表面处理，并根据需要对石墨烯进行掺杂，然后在石墨烯表面沉积图形化金属作为支撑层得到金属/石墨烯复合结构电极；3)在显微镜下，利用探针操作，将金属/石墨烯复合结构电极从衬底转移到晶体管沟道上，形成晶体管的接触电极；将金属支撑层与石墨烯层从衬底转移到晶体管沟道上，形成接触电极。本发明具有整个过程避免有机溶剂和高温工艺的优点，最大程度减少晶体管沟道材料的损伤并改善晶体管的接触性能。
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公开(公告)号：CN107230615A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710316136.7
申请日：2017-05-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/28 , H01L29/41725 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯电极的制备与转移方法，包括如下步骤：1)在化学气相沉积系统中生长石墨烯，并将石墨烯转移到平整干净的衬底表面；2)用紫外臭氧对石墨烯进行表面处理，并根据需要对石墨烯进行掺杂，然后在石墨烯表面沉积图形化金属作为支撑层得到金属/石墨烯复合结构电极；3)在显微镜下，利用探针操作，将金属/石墨烯复合结构电极从衬底转移到晶体管沟道上，形成晶体管的接触电极；将金属支撑层与石墨烯层从衬底转移到晶体管沟道上，形成接触电极。本发明具有整个过程避免有机溶剂和高温工艺的优点，最大程度减少晶体管沟道材料的损伤并改善晶体管的接触性能。
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