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公开(公告)号：CN109616563A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811513203.5
申请日：2018-12-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种背电极通孔UVC半导体发光二极管，包括基于外延的UVC发光二极管结构，在n型层内设多个垂直通孔，n型金属电极分布在通孔中。并公开了其制备方法。本发明采用采用工艺简单、低损伤、高效出光的三维光散射结构，n型金属电极在二极管内部分布的孔中，每一个金属电极柱都是反射镜，实现最大程度的平面内光散射，大大增强了器件的出光效率。
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