公开(公告)号：CN101477967A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910029174.X

申请日：2009-01-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  刘东 ,  廖远宝 ,  戴明 ,  杨菲 ,  刘文强 ,  吴良才 ,  陈坤基 ,  李伟

IPC: H01L21/822 ,  B82B3/00 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。本发明采用纳米阵列的相变材料作为存储信息的载体，通过在电极与相变材料之间导入合适的介质层，提高了相变有源区的热效率，使得存储器件的操作电流与功耗得到有效降低，并且工艺简单、成本低廉，从而为制造出适合PCRAM的商用化存储器奠定了基础。

公开(公告)号：CN101477967B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910029174.X

申请日：2009-01-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  刘东 ,  廖远宝 ,  戴明 ,  杨菲 ,  刘文强 ,  吴良才 ,  陈坤基 ,  李伟

IPC: H01L21/822 ,  B82B3/00 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。本发明采用纳米阵列的相变材料作为存储信息的载体，通过在电极与相变材料之间导入合适的介质层，提高了相变有源区的热效率，使得存储器件的操作电流与功耗得到有效降低，并且工艺简单、成本低廉，从而为制造出适合PCRAM的商用化存储器奠定了基础。

公开(公告)号：CN101281884A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810024961.0

申请日：2008-05-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 马忠元 ,  徐岭 ,  郭四华 ,  甘新慧 ,  戴敏 ,  廖远宝 ,  刘冬 ,  徐骏 ,  李伟 ,  陈坤基

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L33/00 ,  C23C14/30 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及一种可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法，属于光电子材料技术领域。该方法包括清洗硅片衬底并去除其表面自然氧化层后干燥、在电子束蒸发沉积装置中通入O2蒸发薄膜、制备器件电极各步骤。本发明的方法仅用氧气作为气源，成本低、对环境无污染，且在低温下进行，操作安全。