公开(公告)号：CN101477967B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910029174.X

申请日：2009-01-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  刘东 ,  廖远宝 ,  戴明 ,  杨菲 ,  刘文强 ,  吴良才 ,  陈坤基 ,  李伟

IPC: H01L21/822 ,  B82B3/00 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。本发明采用纳米阵列的相变材料作为存储信息的载体，通过在电极与相变材料之间导入合适的介质层，提高了相变有源区的热效率，使得存储器件的操作电流与功耗得到有效降低，并且工艺简单、成本低廉，从而为制造出适合PCRAM的商用化存储器奠定了基础。

公开(公告)号：CN102544180A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210026928.8

申请日：2012-02-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  肖金荣 ,  耿雷 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  方力 ,  刘妮 ,  江一帆 ,  杨菲 ,  仝亮

IPC: H01L31/065 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硫系太阳能电池及其制作方法，硫系太阳能电池包括衬底、ITO、纳米结构层、纳米硅层和下电极；所述下电极设在纳米硅层上；所述纳米硅层设在纳米结构层上；所述纳米结构层设在ITO上；所述ITO设在衬底上；方法包括衬底的处理、透明导电层的生长、纳米结构层的制备、纳米硅层(Nano-Si)生长和蒸镀下电极步骤。基于ZnS、CdS、CdTe纳米晶或nano-Si和非晶硅薄膜组成的多结面硫系太阳能电池结构，对可见光的吸收极大增大，从而其光电转化效率较普通单层薄膜太阳电池高；可以通过改变生长条件控制纳米结构介质层中纳米晶或纳米线的尺寸及分布，从而达到调节纳米晶层的光学带隙宽度的目的；硫系太阳能电池制作方法与传统的半导体硅工艺相兼容。

公开(公告)号：CN101477967A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910029174.X

申请日：2009-01-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  刘东 ,  廖远宝 ,  戴明 ,  杨菲 ,  刘文强 ,  吴良才 ,  陈坤基 ,  李伟

IPC: H01L21/822 ,  B82B3/00 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。本发明采用纳米阵列的相变材料作为存储信息的载体，通过在电极与相变材料之间导入合适的介质层，提高了相变有源区的热效率，使得存储器件的操作电流与功耗得到有效降低，并且工艺简单、成本低廉，从而为制造出适合PCRAM的商用化存储器奠定了基础。