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公开(公告)号：CN101349641A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810196207.5
申请日：2008-08-28
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 有机污染物的紫外光电动态污染监测的方法，a)、针对具体的监测地点与环境，在数据处理系统(3)中预置一个参考紫外光谱图与几个具体的特征污染物的参考吸收谱图数据库；b)、根据不同的紫外光源(1)的波长，测量一个至几个不同紫外波长处的紫外光吸收值数据，需要的不同紫外波长光源个数要根据需要动态监测的特征污染物的个数，不同波长的光源个数等于所需要动态监测的特征污染物个数加一，通过数据处理系统(3)与预置的参考紫外光谱图比较，得到一组吸光度差值数据；c)、根据吸光度差值及比值，比对数据处理系统(3)中预置的特征污染物的参考吸收谱图数据库，得到污染物的种类和浓度。可实时监测环境污染情况及具有预警功能。
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公开(公告)号：CN104807768B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510249888.7
申请日：2015-05-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种水体硝基苯含量测量装置，流通池固定在遮光箱中，两面透光，光源固定在遮光箱内表面，探测器固定在光源正下方的遮光箱内表面，超声振子放置于流通池内，蠕动泵固定在遮光箱内，将流通池内的水排出至遮光箱外，电磁阀固定在遮光箱内，连接流通池和遮光箱外界空气，水箱设置于遮光箱外，三通电磁阀连接水箱、流通池和待测水样；所述单片机用于控制所有装置。并公开了使用该装置来测量水体硝基苯含量的测量方法。本发明可以准确测量大范围、高浓度的水体硝基苯含量，测量浓度范围扩展到0‑300000ppm，且可以循环自动在线测量，超声振子可以消除难溶于水的硝基苯的挂壁效应。
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公开(公告)号：CN104897598B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510328828.4
申请日：2015-06-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 本发明公开了水质COD的光谱测量装置，流通池固定在遮光箱中，至少两面透光，光源固定在遮光箱内表面，探测器固定在光源垂直正下方的遮光箱内表面；第一、二样品池设置于遮光箱外，第一水管连通流通池和待测水样，第二水管连通流通池和第一样品池，第三水管连通流通池和第二样品池，第四水管连接流通池底部出水口和遮光箱外界，其上设有蠕动泵，第五水管连接流通池顶部和遮光箱外界，所述单片机用于控制所有装置。并公开了使用该装置来测量水质COD的光谱测量方法。本发明可以快速准确的测量水质COD，且可以循环自动在线测量，吸收光谱比一般方法中直接测量蒸馏水配制的硝酸盐溶液、阴离子表面活性剂光谱更加接近实际水样情况。
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公开(公告)号：CN104807768A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510249888.7
申请日：2015-05-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种水体硝基苯含量测量装置，流通池固定在遮光箱中，两面透光，光源固定在遮光箱内表面，探测器固定在光源正下方的遮光箱内表面，超声振子放置于流通池内，蠕动泵固定在遮光箱内，将流通池内的水排出至遮光箱外，电磁阀固定在遮光箱内，连接流通池和遮光箱外界空气，水箱设置于遮光箱外，三通电磁阀连接水箱、流通池和待测水样；所述单片机用于控制所有装置。并公开了使用该装置来测量水体硝基苯含量的测量方法。本发明可以准确测量大范围、高浓度的水体硝基苯含量，测量浓度范围扩展到0-300000ppm，且可以循环自动在线测量，超声振子可以消除难溶于水的硝基苯的挂壁效应。
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公开(公告)号：CN103022257B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210580045.1
申请日：2012-12-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种p-i-n结InGaN太阳电池制造方法，步骤为：清洗衬底；在衬底上生长GaN层；再生长全应变弛豫高In组分InGaN层；继续生长高In组分InGaN/GaN结构的InGaN超晶格层、高In组分n-InGaN层、高In组分i-InGaN层、高In组分p-InGaN层；升温生长p-GaN层；在p-GaN层刻蚀出电池台面；在p-GaN层上蒸镀栅形欧姆电极；在高In组分n-InGaN层台面上蒸镀欧姆电极。本发明的p-i-n结InGaN太阳电池结构是直接生长在全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层上的，全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层不会对p-i-n结InGaN太阳电池层产生失配应力，可以有效提高p-i-n结InGaN太阳电池材料的质量和电池转换效率；另外较高In组分的n-InGaN层与p-InGaN层将较低In组分的i-InGaN层夹在中间，晶格的失配在i-InGaN层中引入了拉应变，可进一步提高p-i-n结InGaN太阳电池的转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103022257A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210580045.1
申请日：2012-12-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种p-i-n结InGaN太阳电池制造方法，步骤为：清洗衬底；在衬底上生长GaN层；再生长全应变弛豫高In组分InGaN层；继续生长高In组分InGaN/GaN结构的InGaN超晶格层、高In组分n-InGaN层、高In组分i-InGaN层、高In组分p-InGaN层；升温生长p-GaN层；在p-GaN层刻蚀出电池台面；在p-GaN层上蒸镀栅形欧姆电极；在高In组分n-InGaN层台面上蒸镀欧姆电极。本发明的p-i-n结InGaN太阳电池结构是直接生长在全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层上的，全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层不会对p-i-n结InGaN太阳电池层产生失配应力，可以有效提高p-i-n结InGaN太阳电池材料的质量和电池转换效率；另外较高In组分的n-InGaN层与p-InGaN层将较低In组分的i-InGaN层夹在中间，晶格的失配在i-InGaN层中引入了拉应变，可进一步提高p-i-n结InGaN太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN104897598A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510328828.4
申请日：2015-06-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 本发明公开了水质COD的光谱测量装置，流通池固定在遮光箱中，至少两面透光，光源固定在遮光箱内表面，探测器固定在光源垂直正下方的遮光箱内表面；第一、二样品池设置于遮光箱外，第一水管连通流通池和待测水样，第二水管连通流通池和第一样品池，第三水管连通流通池和第二样品池，第四水管连接流通池底部出水口和遮光箱外界，其上设有蠕动泵，第五水管连接流通池顶部和遮光箱外界，所述单片机用于控制所有装置。并公开了使用该装置来测量水质COD的光谱测量方法。本发明可以快速准确的测量水质COD，且可以循环自动在线测量，吸收光谱比一般方法中直接测量蒸馏水配制的硝酸盐溶液、阴离子表面活性剂光谱更加接近实际水样情况。
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公开(公告)号：CN103022211B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210580088.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池，其结构由下至上依次为：衬底、GaN层、全应变弛豫高In组分InyGa1-yN层、InGaN超晶格层、高In组分n-InyGa1-yN层、高In组分i-InxGa1-xN层、高In组分p-InyGa1-yN层、p-GaN覆盖层；在高In组分n-InyGa1-yN层上引出负电极，在p-GaN覆盖层上引出正电极。本发明的p-i-n结InGaN太阳电池结构是直接生长在全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层上的，全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层不会对p-i-n结InGaN太阳电池层产生失配应力，可以有效提高p-i-n结InGaN太阳电池材料的质量和电池转换效率；另外较高In组分的n-InGaN层与p-InGaN层将较低In组分的i-InGaN层夹在中间，品格的失配在i-InGaN层中引入了拉应变，可进一步提高p-i-n结InGaN太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN103022211A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210580088.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池，其结构由下至上依次为：衬底、GaN层、全应变弛豫高In组分InyGa1-yN层、InGaN超晶格层、高In组分n-InyGa1-yN层、高In组分i-InxGa1-xN层、高In组分p-InyGa1-yN层、p-GaN覆盖层；在高In组分n-InyGa1-yN层上引出负电极，在p-GaN覆盖层上引出正电极。本发明的p-i-n结InGaN太阳电池结构是直接生长在全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层上的，全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层不会对p-i-n结InGaN太阳电池层产生失配应力，可以有效提高p-i-n结InGaN太阳电池材料的质量和电池转换效率；另外较高In组分的n-InGaN层与p-InGaN层将较低In组分的i-InGaN层夹在中间，品格的失配在i-InGaN层中引入了拉应变，可进一步提高p-i-n结InGaN太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN101832918A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010146571.8
申请日：2010-04-14
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 用于水质在线监测的紫外光电微型传感器装置，它包括紫外光源，紫外探测器，数据采集与发送模块、支架、密封罩所组成，待监测的水流样品置于紫外光源和紫外探测器之间，其中紫外光源与紫外探测器固定在支架上，紫外光源的两端通过导线与电源相连接，紫外探测器的两端通过导线与数据采集与发送模块相连接，其特征是紫外光源、紫外探测器和支架被封装在密封罩内紫外探测器由GaN基肖特基型紫外探测器组成，其响应窗口与上述LED的中心波长相对应；紫外光源为3-7个紫外LED组成，波长覆盖200nm到400nm的区间。该装置体积小、功耗低，可及时、准确监测环境污染指标(TOC，COD等)的变化情况，具有广泛的应用前景。
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