公开(公告)号：CN112038418A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010952681.7

申请日：2020-09-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  梁志斌 ,  许朝军 ,  张齐轩 ,  张荣

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种高波长选择性的紫外探测器件及其制作方法。所述紫外探测器件包括：第一极性半导体层、第二极性半导体层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层；所述第一极性半导体层设置在所述第二极性半导体层上，所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层分别与第一极性半导体层、第二极性半导体层形成欧姆接触，所述第一欧姆接触层包括覆设在第一极性半导体层上的Ag-Au合金薄膜，所述Ag-Au合金薄膜可选择性地使紫外光透过。本发明实施例提供的高波长选择性的紫外探测器件在体积小、容易使用的基础上，实现了对特定波段紫外光的高选择性探测，同时Ag-Au合金薄膜与第一极性半导体层之间的欧姆接触保证了器件的优异探测性能。

公开(公告)号：CN112038418B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202010952681.7

申请日：2020-09-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  梁志斌 ,  许朝军 ,  张齐轩 ,  张荣

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种高波长选择性的紫外探测器件及其制作方法。所述紫外探测器件包括：第一极性半导体层、第二极性半导体层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层；所述第一极性半导体层设置在所述第二极性半导体层上，所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层分别与第一极性半导体层、第二极性半导体层形成欧姆接触，所述第一欧姆接触层包括覆设在第一极性半导体层上的Ag‑Au合金薄膜，所述Ag‑Au合金薄膜可选择性地使紫外光透过。本发明实施例提供的高波长选择性的紫外探测器件在体积小、容易使用的基础上，实现了对特定波段紫外光的高选择性探测，同时Ag‑Au合金薄膜与第一极性半导体层之间的欧姆接触保证了器件的优异探测性能。