公开(公告)号：CN102420277B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110360361.3

申请日：2011-11-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  张荣 ,  李烨操 ,  谢自力 ,  方贺男 ,  庄喆 ,  陈鹏 ,  修向前 ,  赵红 ,  陈敦军 ,  顾书林 ,  韩平 ,  郑有炓 ,  托马斯·科奇

IPC: H01L33/06 ,  H01S5/343

Abstract: 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO2或SiNx介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚物涂刷至介质薄膜表面，清洗PMMA后获得PS纳米柱图形，采用等离子体刻蚀将PS纳米柱图形转移至介质薄膜层上；将纳米柱图形制备如下参数：面密度达到0.8～1.0×1011cm-2；2)采用反应离子刻蚀将纳米柱点阵图形转移至SiNx或SiO2介质薄膜层，去掉聚苯乙烯获得可供MOCVD二次生长GaN纳米点结构的模板；3)GaN基量子点结构生长，GaN量子点结构发射强烈的蓝紫光，用于制作高效率发光二极管(LED)和激光器(LD)光电子器件中有源层结构。

公开(公告)号：CN102420277A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110360361.3

申请日：2011-11-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  张荣 ,  李烨操 ,  谢自力 ,  方贺男 ,  庄喆 ,  陈鹏 ,  修向前 ,  赵红 ,  陈敦军 ,  顾书林 ,  韩平 ,  郑有炓 ,  托马斯·科奇

IPC: H01L33/06 ,  H01S5/343

Abstract: 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO2或SiNx介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚物涂刷至介质薄膜表面，清洗PMMA后获得PS纳米柱图形，采用等离子体刻蚀将PS纳米柱图形转移至介质薄膜层上；将纳米柱图形制备如下参数：面密度达到0.8～1.0×1011cm-2；2)采用反应离子刻蚀将纳米柱点阵图形转移至SiNx或SiO2介质薄膜层，去掉聚苯乙烯获得可供MOCVD二次生长GaN纳米点结构的模板；3)GaN基量子点结构生长，GaN量子点结构发射强烈的蓝紫光，用于制作高效率发光二极管(LED)和激光器(LD)光电子器件中有源层结构。