公开(公告)号：CN116265615A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202310018098.2

申请日：2023-01-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 罗文俊 ,  杨彦良 ,  董洪政 ,  罗军 ,  邹志刚

IPC: C25B11/052 ,  C23C18/12 ,  C23C18/08 ,  C23C18/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/18 ,  C23C28/00 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55

Abstract: 本发明涉及一种半导体金属半导体多层异质结构提高光阴极性能的方法，其特征在于，在p型半导体光阴极、n型半导体吸光层之间引入一层极薄的金属层，然后在光阴极表面担载催化剂，从而构成半导体金属半导体多层异质结构高性能光阴极。此方法可以应用于p‑Si、铜锌锡硫等常见的p型半导体光阴极，能够明显提升光阴极分解水产氢的性能，将太阳能转化为化学能储存起来。