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发明公开
高Tc铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件无效

公开(公告)号：CN1379460A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN01113731.2

申请日：2001-06-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 杨彬 , 胡卫生 , 陈延峰 , 刘治国 , 闵乃本

IPC: H01L21/70 , H01L21/00

Abstract: 高TC铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件,利用脉冲激光沉积方法(PLD)在衬底上生长高TC铁电薄膜,生长的铁电薄膜主要为Bi3TiNbO9(BTN)和Bi3TiTaO9(BTT),在薄膜的生长过程中外加一个与衬底表面垂直的静电场E,生长温度低于Tc。本发明提供了一种高TC铁电薄膜取向控制生长方法,用此生长方法得到铁电存储器原型器件,其剩余极化较大,抗疲劳性好,具有较好的实用前景。

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