公开(公告)号：CN1379460A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN01113731.2

申请日：2001-06-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 杨彬 ,  胡卫生 ,  陈延峰 ,  刘治国 ,  闵乃本

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/00

Abstract: 高TC铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件,利用脉冲激光沉积方法(PLD)在衬底上生长高TC铁电薄膜,生长的铁电薄膜主要为Bi3TiNbO9(BTN)和Bi3TiTaO9(BTT),在薄膜的生长过程中外加一个与衬底表面垂直的静电场E,生长温度低于Tc。本发明提供了一种高TC铁电薄膜取向控制生长方法,用此生长方法得到铁电存储器原型器件,其剩余极化较大,抗疲劳性好,具有较好的实用前景。

公开(公告)号：CN1184863A

公开(公告)日：1998-06-17

申请号：CN96117210.X

申请日：1996-12-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘治国 ,  胡卫生 ,  冯端

IPC: C30B30/00 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明涉及一种控制铁电薄膜取向生长技术。本发明基于铌酸锂具有自发极化这一事实提出了用外加电场诱导铌酸锂薄膜取向生长的方法。在薄膜生长系统中垂直于薄膜的方向施加一个低电场,使生长中的薄膜铁电畴沿电场方向取向排列,从而达到取向生长目的。可以用脉冲激光闪蒸法、化学气相淀积、磁控溅射等多种技术实现这一方法。本发明施加电场和薄膜生长合二为一,两者原位同步进行。所需的电场可以是极低的,在10V/cm量级。

公开(公告)号：CN1065571C

公开(公告)日：2001-05-09

申请号：CN96117210.X

申请日：1996-12-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘治国 ,  胡卫生 ,  冯端

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明涉及一种控制铁电薄膜取向生长技术。本发明基于铌酸锂具有自发极化这一事实提出了用外加电场诱导铌酸锂薄膜取向生长的方法。在薄膜生长系统中垂直于薄膜的方向施加一个低电场，使生长中的薄膜铁电畴沿电场方向取向排列，从而达到取向生长目的。可以用脉冲激光闪蒸法、化学气相沉积、磁控溅射等多种技术实现这一方法。本发明施加电场和薄膜生长合二为一，两者原位同步进行。所需的电场可以是极低的，在10V/cm量级。