公开(公告)号：CN113555467B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202110675450.0

申请日：2021-06-17

申请人： 南京大学

发明人： 贾小氢 ,  杨舒超 ,  鲍涵 ,  徐韬 ,  秦志 ,  涂学凑 ,  张蜡宝 ,  赵清源 ,  康琳 ,  陈健 ,  吴培亨

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H10N60/01 ,  H10N60/85

摘要： 本发明公开了一种大面积MoSi超导微米线单光子探测器的激光直写制备方法，将Si基片分别用丙酮、酒精和去离子水超声清洗；将清洗后的基片送入磁控溅射系统副室进行氩离子清洗；将离子铣后的基片送入主室，通过直流磁控溅射生长MoSi薄膜；在真空室中原位射频磁控溅射生长Nb5N6薄膜；绘制掩模版图形，并采用图形补偿的方法增加微米线拐角处的曝光面积；在样品表面旋涂S1805光刻胶，用激光直写光刻机进行光刻，然后放入正胶显影液显影30s，放入去离子水中定影1min，在光刻胶上形成微米线图案；用反应离子刻蚀的方式对做完激光直写的样品进行刻蚀，刻蚀后用丙酮超声1min除去残胶，从而形成微米线。本发明提高了大面积超导微米线单光子探测器的制备效率。

公开(公告)号：CN113555467A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110675450.0

申请日：2021-06-17

申请人： 南京大学

发明人： 贾小氢 ,  杨舒超 ,  鲍涵 ,  徐韬 ,  秦志 ,  涂学凑 ,  张蜡宝 ,  赵清源 ,  康琳 ,  陈健 ,  吴培亨

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L39/24 ,  H01L39/12

摘要： 本发明公开了一种大面积MoSi超导微米线单光子探测器的激光直写制备方法，将Si基片分别用丙酮、酒精和去离子水超声清洗；将清洗后的基片送入磁控溅射系统副室进行氩离子清洗；将离子铣后的基片送入主室，通过直流磁控溅射生长MoSi薄膜；在真空室中原位射频磁控溅射生长Nb5N6薄膜；绘制掩模版图形，并采用图形补偿的方法增加微米线拐角处的曝光面积；在样品表面旋涂S1805光刻胶，用激光直写光刻机进行光刻，然后放入正胶显影液显影30s，放入去离子水中定影1min，在光刻胶上形成微米线图案；用反应离子刻蚀的方式对做完激光直写的样品进行刻蚀，刻蚀后用丙酮超声1min除去残胶，从而形成微米线。本发明提高了大面积超导微米线单光子探测器的制备效率。