公开(公告)号：CN107574479A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710691177.4

申请日：2017-08-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  李悦文 ,  熊则宁 ,  张荣 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  韩平 ,  陆海 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: C30B29/40 ,  C30B29/16 ,  C30B25/14

CPC classification number: C30B25/14 ,  C30B29/16 ,  C30B29/40

Abstract: 一种氢化物气相外延生长系统，包括生长区和气路系统，气路系统中进气管路包括氨气管路、氧气管路和氯气管路，在生长氮化镓时使用氨气作为反应气体，在生长氧化镓时使用氧气作为反应气体；外延生长系统的生长区包括低温生长区和高温生长区，高温生长区的外侧为废气排出管路；低温生长区附近还设有Ga舟，氯气管路伸进Ga舟；该系统既用于氧化镓薄膜的生长、用于氮化镓薄膜的生长或用于氮化镓/氧化镓复合结构薄膜的生长。

公开(公告)号：CN109056058A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810928148.X

申请日：2018-08-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  李悦文 ,  熊则宁 ,  张荣 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  韩平 ,  陆海 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/40 ,  C30B33/08

CPC classification number: C30B25/183 ,  C30B29/16 ,  C30B29/406 ,  C30B33/08

Abstract: 一种制备GaN衬底材料的方法，在多功能氢化物气相外延(HVPE)生长系统中，原位外延Ga2O3和GaN薄膜；先在衬底如蓝宝石或硅片上利用类HVPE方法生长氧化镓薄膜，并在氨气气氛中对氧化镓进行原位部分或全部氮化形成GaN/Ga2O3或者GaN缓冲层；然后在缓冲层上进行GaN的HVPE厚膜生长，获得高质量的GaN厚膜材料；利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即可获得自支撑GaN衬底材料；或者利用传统的激光剥离的方法，实现GaN厚膜与异质衬底如蓝宝石之间的分离，得到GaN自支撑衬底材料。

公开(公告)号：CN107587190A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710691185.9

申请日：2017-08-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  李悦文 ,  熊则宁 ,  张荣 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  韩平 ,  陆海 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 一种制备GaN衬底材料的方法，在多功能氢化物气相外延(HVPE)生长系统中，原位外延Ga2O3和GaN薄膜；先在衬底如蓝宝石或硅片上利用类HVPE方法生长氧化镓薄膜，并在氨气气氛中对氧化镓进行原位部分或全部氮化形成GaN/Ga2O3或者GaN缓冲层；然后在缓冲层上进行GaN的HVPE厚膜生长，获得高质量的GaN厚膜材料；利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即可获得自支撑GaN衬底材料；或者利用传统的激光剥离的方法，实现GaN厚膜与异质衬底如蓝宝石之间的分离，得到GaN自支撑衬底材料。