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公开(公告)号：CN116247128A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310376064.0
申请日：2023-04-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种可抑制雪崩光电二极管边缘提前击穿的两层绝缘介质钝化方法，其步骤包括：(1)先采用低RF功率条件在雪崩光电二极管表面淀积缓冲绝缘介质层；(2)再采用高RF功率条件进行高质量绝缘介质层的淀积。本发明通过先后采用在两种不同的RF功率条件下进行双层绝缘介质的钝化，其机理主要是先在低RF功率下淀积一层薄的缓冲绝缘介质，从而将样品表面受到的等离子损伤控制在最小范围；随后使用常规的高RF功率淀积一层厚的高质量绝缘介质，以保证绝缘介质的整体质量以及耐击穿电压特性。既可避免雪崩器件容易在表面处因局部电场聚集而导致的提前击穿，又保证了绝缘钝化介质的耐压作用，提升器件性能。
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