公开(公告)号：CN116247128A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310376064.0

申请日：2023-04-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  游海帆 ,  王海萍 ,  张荣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种可抑制雪崩光电二极管边缘提前击穿的两层绝缘介质钝化方法，其步骤包括：(1)先采用低RF功率条件在雪崩光电二极管表面淀积缓冲绝缘介质层；(2)再采用高RF功率条件进行高质量绝缘介质层的淀积。本发明通过先后采用在两种不同的RF功率条件下进行双层绝缘介质的钝化，其机理主要是先在低RF功率下淀积一层薄的缓冲绝缘介质，从而将样品表面受到的等离子损伤控制在最小范围；随后使用常规的高RF功率淀积一层厚的高质量绝缘介质，以保证绝缘介质的整体质量以及耐击穿电压特性。既可避免雪崩器件容易在表面处因局部电场聚集而导致的提前击穿，又保证了绝缘钝化介质的耐压作用，提升器件性能。

公开(公告)号：CN117976740A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410036077.8

申请日：2024-01-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  刘路明 ,  蔡青 ,  游海帆 ,  张荣

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘衬底的自顶而下垂直纳米柱阵列pin‑AlGaN紫外光电探测器，其结构自下而上依次包括：绝缘衬底；外延生长在绝缘衬底上的n‑GaN缓冲层；分布在n‑GaN缓冲层上的纳米柱阵列光吸收层，所述的纳米柱阵列光吸收层包括：刻蚀形成的AlGaN垂直纳米柱阵列和填充在纳米柱阵列内的绝缘填充物。N型底电极设置在n‑GaN缓冲层上，所述P型顶电极设置在p‑GaN层上。还公开了其制备方法。本发明利用金属纳米颗粒充当硬掩模刻蚀制备纳米柱阵列，利用平面化填充物实现对纳米柱的隔离与保护和对顶电极的支撑，底电极设置于衬底上的n‑GaN缓冲层上，制备难度明显降低，为纳米柱阵列光电探测器件的制备提供新思路。

公开(公告)号：CN110501773B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910806001.8

申请日：2019-08-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 袁如月 ,  陈敦军 ,  游海帆 ,  蔡青 ,  郭慧 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: G02B5/20 ,  G02B1/00 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明公开了一种应用于日盲光电探测器的AlN/Al0.5Ga0.5N多周期一维光子晶体滤波器，包括衬底，还包括生长在衬底上的两到三个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构，每个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构中，AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN生长周期为33组。并公开了应用该光子晶体滤波器的日盲光电探测器。本发明的多周期叠加光子晶体滤波，与传统单周期AlN/AlGaN单周期光子晶体滤波器相比，实现了280‑320nm以及280‑340nm峰值反射率达到99％的宽阻带，是单周期最高阻带的2‑3倍，集成于日盲探测器上可提高日盲区与可见盲区的光电流响应抑制比等性能。

公开(公告)号：CN110501773A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910806001.8

申请日：2019-08-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 袁如月 ,  陈敦军 ,  游海帆 ,  蔡青 ,  郭慧 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: G02B5/20 ,  G02B1/00 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明公开了一种应用于日盲光电探测器的AlN/Al0.5Ga0.5N多周期一维光子晶体滤波器，包括衬底，还包括生长在衬底上的两到三个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构，每个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构中，AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN生长周期为33组。并公开了应用该光子晶体滤波器的日盲光电探测器。本发明的多周期叠加光子晶体滤波，与传统单周期AlN/AlGaN单周期光子晶体滤波器相比，实现了280-320nm以及280-340nm峰值反射率达到99％的宽阻带，是单周期最高阻带的2-3倍，集成于日盲探测器上可提高日盲区与可见盲区的光电流响应抑制比等性能。

公开(公告)号：CN118472094A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410667985.7

申请日：2024-05-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 蔡青 ,  王赛赛 ,  游海帆 ,  陈敦军 ,  张荣

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种倒序分离吸收倍增型AlGaN/金刚石异质结日盲紫外雪崩光电探测器，其结构自下而上依次包括：金刚石衬底、p型金刚石层、AlN缓冲层、i型AlyGa1‑yN倍增层、n型AlyGa1‑yN分离层、i型AlxGa1‑xN吸收层和n型AlxGa1‑xN层；在n型AlxGa1‑xN层上引出n型欧姆电极，在p型金刚石层上引出p型欧姆电极。并公开了其制备方法。本发明形成倒序n‑i‑n‑i‑p结构SAM型日盲雪崩紫外探测器，利用离化系数更高的空穴进行碰撞离化，在保持高雪崩倍增因子的同时，降低雪崩探测器在雪崩击穿时的过剩噪声，有助于提高雪崩探测器的日盲紫外探测性能。

公开(公告)号：CN116705880A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310761314.2

申请日：2023-06-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 蔡青 ,  朱金杰 ,  游海帆 ,  陈敦军 ,  张荣

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于非共面弧形叉指电极的AlN深紫外光电探测器，包括衬底层及衬底层上的AlN有源层，其特征在于：在AlN有源层表面通过刻蚀形成凹陷的弧形台面，还包括弧形叉指电极，其中一侧的叉指电极蒸镀于AlN有源层表面，另一侧的相邻电极蒸镀于凹陷的弧形台面内，且不与弧形台面刻蚀的侧壁接触。还公开了其制备方法。本发明的一种基于非共面弧形叉指电极的AlN深紫外光电探测器利用弧形叉指电极使得有源区暴露在深紫外光下，在可渗透深度内促进器件光吸收。同时，非共面电极使得台面边缘电场出现局域增强，延伸了近表面区域耗尽层宽度，可增大光响应度。

公开(公告)号：CN108493301A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810463058.8

申请日：2018-05-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  游海帆 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/107

CPC classification number: H01L31/1848 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其步骤包括：1)预处理，清洁待刻蚀的AlGaN APD器件样品；2)光刻：在AlGaN APD器件样品表面制作厚的光刻胶；3)光刻胶回流：对光刻胶进行高温烘烤，使光刻胶回流，形成极小的倾斜角度；4)图形转移：对AlGaN APD器件样品进行干法刻蚀，将光刻胶倾角转移到AlGaN APD器件样品上；5)去胶：去除残留光刻胶。本发明提供的方法具有工艺简单、可控性强、可重复性高的优点。主要体现在以下两个方面：一方面，通过对光刻胶后烘温度和时间的控制，可实现对掩蔽层图形倾斜角度控制的精确控制；另一方面，通过调节掩蔽层的刻蚀工艺参数，也可在AlGaN基材料中获得具有不同倾斜角度的侧壁。