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公开(公告)号：CN117418316A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311457282.3
申请日：2023-11-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明采用金属镓和Ga2O3粉末混合物作为GaN生长过程中的Ga源，改变了在传统的HVPE中只采用金属镓作为镓源的方式，可以有效的产生Ga2O气体，防止传统的GaCl和氨气反应产生过多的氯化铵固态产物堵塞设备出口，并提高了原材料的利用率、GaN生长速率和晶体质量等。因为固态产物的减少，HVPE设备可以长时间运行，不需要短时间内进行设备清理，可以进行厘米级大尺寸GaN体单晶晶锭的生长。
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