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公开(公告)号：CN110137343A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910400845.2
申请日：2019-05-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种利用电场产生及擦除磁性斯格明子的方法。将磁性斯格明子材料生长于铁电材料衬底上，局部施加电场后，铁电材料发生应变，进而影响磁性材料的各向异性能，使得电极下方区域内单畴态由亚稳态变为不稳定态，从而产生磁性斯格明子。使用电场产生磁性斯格明子，其特征是低功耗，器件发热量小。
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公开(公告)号：CN110137343B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910400845.2
申请日：2019-05-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种利用电场产生及擦除磁性斯格明子的方法。将磁性斯格明子材料生长于铁电材料衬底上，局部施加电场后，铁电材料发生应变，进而影响磁性材料的各向异性能，使得电极下方区域内单畴态由亚稳态变为不稳定态，从而产生磁性斯格明子。使用电场产生磁性斯格明子，其特征是低功耗，器件发热量小。
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公开(公告)号：CN110275077B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201910572602.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种宽温区强磁场中热电效应的电学测试方法，包括以下步骤：(1)在基片上生长磁性绝缘体薄膜和金属薄膜组成待测样品；(2)将待测样品的磁性绝缘薄膜一侧用导电银胶和金属块粘接，在样品薄膜的金属薄膜一侧上涂上低温绝缘导热胶和加热贴片电阻粘接；(3)金属块和样品座相连，样品座放入到低温强磁场平台，测得磁性绝缘体薄膜一侧的温度；(4)通过贴片电阻通电前后的阻值变化测得最终的温度差。本发明可在较大的温度范围(2K～400K)内，定量测量磁性绝缘体薄膜中的温度梯度，测试信号信噪比好，能测到nV量级信号。
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公开(公告)号：CN110220930A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910540658.4
申请日：2019-06-21
Applicant: 南京大学
IPC: G01N24/00
Abstract: 本发明公开了一种自旋效应微电子集成测试台，该测试台包括处于稳恒磁场中并绕水平轴旋转的样品台，所述样品台包括用于测量样品电信号的测量单元、用于在样品处形成激发其产生自旋流的微波场的微波单元、以及用于在垂直于样品平面的方向上建立温度梯度的加热单元。本发明无需重新制样，对同一样品中的多种自旋效应相关参数进行多次测量，节约测量时间，还可以同时对样品施加直流电流、微波及温度梯度，用于测量多种参数之间的相互耦合效应。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN105161289A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510688564.3
申请日：2015-10-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种二维斯格明晶体的制备方法，将纳米磁性圆盘直接放到垂直各项异性材料上面，利用磁性材料之间的退磁能、交换能、各向异性能的相互作用的竞争获得斯格明晶体结构。尤其是钴的纳米磁性圆盘阵列放置到钴铂合金平面上，通过施加平行于薄膜表面且互相垂直的组合磁场的方法，使得纳米磁性圆盘阵列的每个磁性圆盘磁化的旋转方向统一。
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公开(公告)号：CN119836217A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202311348383.7
申请日：2023-10-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种电压控制的三端磁子晶体管，包括铁电层、磁性层、产生端、控制端、探测端和底电极；产生端在通入电流后，在磁性层中产生磁子；探测端选用重金属材料制作，能将磁性层中的磁子转换为电荷流；在控制端和底电极之间施加的电压脉冲超过临界值时，铁电层的非易失性电极化和非易失性应变状态发生改变，进而通过其与磁性层之间的磁电耦合效应影响磁性层中磁子的传输能力，同时探测端的电压信号随着电压脉冲的变化出现规律性的回线变化行为。进一步，本发明还公开上述器件的控制方法和制备方法。本发明所公开的三端磁子晶体管能够在包含室温在内的宽温区工作，具有高开关比，且是非易失性的。
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公开(公告)号：CN110220930B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910540658.4
申请日：2019-06-21
Applicant: 南京大学
IPC: G01N24/00
Abstract: 本发明公开了一种自旋效应微电子集成测试台，该测试台包括处于稳恒磁场中并绕水平轴旋转的样品台，所述样品台包括用于测量样品电信号的测量单元、用于在样品处形成激发其产生自旋流的微波场的微波单元、以及用于在垂直于样品平面的方向上建立温度梯度的加热单元。本发明无需重新制样，对同一样品中的多种自旋效应相关参数进行多次测量，节约测量时间，还可以同时对样品施加直流电流、微波及温度梯度，用于测量多种参数之间的相互耦合效应。
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公开(公告)号：CN110275077A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910572602.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种宽温区强磁场中热电效应的电学测试方法，包括以下步骤：(1)在基片上生长磁性绝缘体薄膜和金属薄膜组成待测样品；(2)将待测样品的磁性绝缘薄膜一侧用导电银胶和金属块粘接，在样品薄膜的金属薄膜一侧上涂上低温绝缘导热胶和加热贴片电阻粘接；(3)金属块和样品座相连，样品座放入到低温强磁场平台，测得磁性绝缘体薄膜一侧的温度；(4)通过贴片电阻通电前后的阻值变化测得最终的温度差。本发明可在较大的温度范围(2K～400K)内，定量测量磁性绝缘体薄膜中的温度梯度，测试信号信噪比好，能测到nV量级信号。
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