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公开(公告)号：CN112530989B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202011394499.0
申请日：2020-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种超高增益有机放大器及其制备方法。该超高增益有机放大器由一个驱动晶体管和一个负载晶体管串联构成，其中负载晶体管的栅极与源极短接；驱动晶体管和负载晶体管的栅极介电层为铁电性氧化物薄膜，半导体沟道层为有机分子薄膜。其制备方法包括：在衬底上制备局域栅极金属层；在局域栅极金属层表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；制备半导体层和电极层。该超高增益有机放大器可以在3V工作电压下实现超过10000的电压增益，1V工作电压下实现4000的增益，同时，可以实现电池供电。该超高增益的有机放大器亦可在柔性衬底上实现。另外，该有机放大器可用于各类微小信号的检测和放大。
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公开(公告)号：CN112531112B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202011397209.8
申请日：2020-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管包括衬底、介电层、半导体沟道层和源/漏电极，其中介电层为铁电性氧化物薄膜，半导体沟道层为有机分子薄膜。其制备方法包括如下步骤：在衬底表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；在介电层表面生长有机分子薄膜作为半导体沟道层；制备源/漏电极。本发明采用铁电性氧化物作为介电层，其引入的负电容效应在有机薄膜晶体管中打破了玻尔兹曼极限，获得了室温下小于60mV/dec的亚阈值摆幅和大于38.7S/A的跨导效率，本征增益达到4.7×104，比已报导结果高一个量级以上。该有机薄膜晶体管还可制备在柔性衬底上，在柔性低功耗电路、皮肤电子、射频标签、显示驱动等领域具有广泛的潜在应用。
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公开(公告)号：CN112531112A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011397209.8
申请日：2020-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管包括衬底、介电层、半导体沟道层和源/漏电极，其中介电层为铁电性氧化物薄膜，半导体沟道层为有机分子薄膜。其制备方法包括如下步骤：在衬底表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；在介电层表面生长有机分子薄膜作为半导体沟道层；制备源/漏电极。本发明采用铁电性氧化物作为介电层，其引入的负电容效应在有机薄膜晶体管中打破了玻尔兹曼极限，获得了室温下小于60mV/dec的亚阈值摆幅和大于38.7S/A的跨导效率，本征增益达到4.7×104，比已报导结果高一个量级以上。该有机薄膜晶体管还可制备在柔性衬底上，在柔性低功耗电路、皮肤电子、射频标签、显示驱动等领域具有广泛的潜在应用。
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公开(公告)号：CN112530989A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011394499.0
申请日：2020-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种超高增益有机放大器及其制备方法。该超高增益有机放大器由一个驱动晶体管和一个负载晶体管串联构成，其中负载晶体管的栅极与源极短接；驱动晶体管和负载晶体管的栅极介电层为铁电性氧化物薄膜，半导体沟道层为有机分子薄膜。其制备方法包括：在衬底上制备局域栅极金属层；在局域栅极金属层表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；制备半导体层和电极层。该超高增益有机放大器可以在3V工作电压下实现超过10000的电压增益，1V工作电压下实现4000的增益，同时，可以实现电池供电。该超高增益的有机放大器亦可在柔性衬底上实现。另外，该有机放大器可用于各类微小信号的检测和放大。
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