公开(公告)号：CN1077607C

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN98111554.3

申请日：1998-11-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 沈波 ,  郑有炓 ,  张荣 ,  周玉刚 ,  陈鹏 ,  胡立群 ,  陈志忠 ,  臧岚

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C30B25/00

Abstract: 光辐射加热金属有机化学汽相淀积GaN的生长方法和装置，将α-Al2O3(蓝宝石)衬底进行表面清洗，然后将衬底进入采用环绕石英反应器的碘钨灯光辐射加热系统反应室内，抽真空；衬底在H2气氛下高温退火，通入TMG和NH3生长GaN缓冲层，生长GaN外延层，本发明利用光辐射促进了NH3分子分解，有利于抑制GaN外延层中的N空位，得到了近乎完美的单晶。

公开(公告)号：CN1219614A

公开(公告)日：1999-06-16

申请号：CN98111554.3

申请日：1998-11-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 沈波 ,  郑有炓 ,  张荣 ,  周玉刚 ,  陈鹏 ,  胡立群 ,  陈志忠 ,  臧岚

IPC: C30B25/00

Abstract: 光辐射加热金属有机化学汽相淀积GaN的生长方法和装置,将α－Al2O3(蓝宝石)衬底进行表面清洗,然后将衬底进入采用环绕石英反应器的碘钨灯光辐射加热系统反应室内,抽真空;衬底在H2气氛下高温退火,通入TMG和NH3生长GaN缓冲层,生长GaN外延层,本发明利用光辐射促进了NH3分子分解,有利于抑制GaN外延层中的N空位,得到了近乎完美的单晶。