公开(公告)号：CN105590971B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610156889.1

申请日：2016-03-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  董可秀 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次包括：一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型AlxGa1-xN层、n型AlxGa1-xN层、i型Aly1Ga1-y1N层、n型AlyGa1-yN组分渐变层、i型Aly2Ga1-y2N层、p型GaN层，在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x满足0.5≤x≤1，所述y1满足0.4≤y1＜1，所述y2满足0.1≤y2＜0.5，所述y1与y2满足y2＜y1＜x，所述组分y沿自下而上方向逐渐降低，且满足y2≤y≤y1。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器，一维光子晶体层中带有周期的抗反射涂层，可以降低日盲紫外雪崩光电探测器日盲区的光反射，提高探测器的性能。

公开(公告)号：CN105590971A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201610156889.1

申请日：2016-03-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  董可秀 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/1848

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次包括：一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型AlxGa1-xN层、n型AlxGa1-xN层、i型Aly1Ga1-y1N层、n型AlyGa1-yN组分渐变层、i型Aly2Ga1-y2N层、p型GaN层，在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x满足0.5≤x≤1，所述y1满足0.4≤y1＜1，所述y2满足0.1≤y2＜0.5，所述y1与y2满足y2＜y1＜x，所述组分y沿自下而上方向逐渐降低，且满足y2≤y≤y1。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器，一维光子晶体层中带有周期的抗反射涂层，可以降低日盲紫外雪崩光电探测器日盲区的光反射，提高探测器的性能。