公开(公告)号：CN105830232B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201480068840.X

申请日：2014-12-16

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 永野辉昌 ,  里健一 ,  土屋龙太郎

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L27/146 ,  G01T1/24 ,  G01T1/161

CPC分类号： H01L27/14663 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14676 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/115

摘要： 在本发明的光检测器中，规定半导体区域(14)的外缘的边界线(BY)由信号读出配线(E3)覆盖，在半导体区域(14)与信号读出配线(E3)之间构成电容器。载流子的高频成分(峰值成分)经由电容器，快速提取至外部，通过信号读出配线(E3)覆盖边界线(BY)，使半导体的边界线附近的电位稳定，输出信号稳定。

公开(公告)号：CN107615495A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680031131.3

申请日：2016-05-25

申请人： 日本电信电话株式会社

发明人： 名田允洋 ,  栗岛贤二 ,  松尾慎治 ,  松崎秀昭

IPC分类号： H01L31/107 ,  G02B6/12

CPC分类号： H01L31/1075 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/035272

摘要： 根据本发明的光接收元件(10)包括：半导体层(100)，所述半导体层(100)包括p型半导体区域(101)、n型半导体区域(102)和倍增区域(103)；以及在所述倍增区域上形成的p型光吸收层(104)。所述p型半导体区域和所述n型半导体区域形成为沿所述半导体层的平面方向将所述倍增区域夹在中间。这允许通过单片制造工艺容易地实现用作雪崩光电二极管的光接收元件。

公开(公告)号：CN107078145A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056778.7

申请日：2015-11-17

申请人： 王士原 ,  王士平

发明人： 王士原 ,  王士平

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L31/0236 ,  G02B1/002 ,  G02B1/005 ,  G02B6/42 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/09 ,  H01L31/103 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  H04B10/25 ,  H04B10/40 ,  H04B10/691 ,  H04B10/6971 ,  H04B10/801 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 描述了用于使用微结构来增强半导体中的光子吸收的技术。微结构诸如孔有效地增加了光子吸收。使用微结构对硅光电二极管和硅雪崩光电二极管进行吸收增强可以在波长为850nm的光子处在量子效率约为90％以上的情况下产生超过10Gb/s的带宽。微结构的厚度尺寸使其能够与CMOS、BiCMOS和其他电子器件方便地集成在同一Si芯片上，从而实现封装优点并且降低电容，进而实现较高速度。

公开(公告)号：CN105720129A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510907071.4

申请日：2015-12-09

申请人： 硅光电科技股份有限公司

发明人： 黄梦园 ,  蔡鹏飞 ,  王良波 ,  栗粟 ,  陈旺 ,  洪菁吟 ,  潘栋

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1075 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  H01L31/028

摘要： 本发明提供一种高速锗/硅(Ge/Si)雪崩光电二极管，可包括衬底层、设于所述衬底层上的底部接触层、设于所述底部接触层上的缓冲层、设于所述缓冲层上的电场控制层、设于所述电场控制层上的雪崩层、设于所述雪崩层上的电荷层、设于所述电荷层上的吸收层和设于所述吸收层上的顶部接触层。所述电场控制层可用于控制所述雪崩层中的电场。

公开(公告)号：CN105655436A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510848856.9

申请日：2015-11-27

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 山口晴央 ,  畠中奖

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1844 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1075 ,  Y02E10/544 ,  H01L31/18

摘要： 本发明得到一种雪崩光电二极管的制造方法，其能够改善p型电场缓和层中所添加的碳的活化率。在衬底(1)上形成p型电场缓和层(5)，在p型电场缓和层(5)中作为p型掺杂物而添加碳，作为组成而包含铝。在p型电场缓和层(5)上形成帽盖层(6)。在帽盖层(6)上形成光吸收层(7)。不导入V族原料而在不活泼气体气氛中进行从帽盖层(6)的生长温度至光吸收层(7)的生长温度为止的升温工序。

公开(公告)号：CN105261668A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510816440.9

申请日：2015-11-23

申请人： 南京大学

发明人： 陈敦军 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1075 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/1848

摘要： 本发明公开了一种异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，其结构从下至上依次为：AlN模板层、AlxGa1-xN缓冲层、n型AlxGa1-xN层、i型AlyGa1-yN吸收层、n型AlyGa1-yN分离层、i型AlyGa1-yN倍增层、i型AlzGa1-zN倍增层、p型AlzGa1-zN层、p型GaN层，在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x、y、z满足0.2≤z＜y＜x，且y≥z+0.2。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，可明显提高空穴的离化率、降低电子的碰撞离化、降低APD雪崩击穿时的器件噪声，有助于提高APD器件的整体性能。

公开(公告)号：CN104603958A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380025871.2

申请日：2013-05-17

申请人： 派克米瑞斯有限责任公司

发明人： 巴里·莱维尼

IPC分类号： H01L31/107

CPC分类号： H01L31/1075 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  Y02E10/544

摘要： 一种雪崩光电二极管，包括：第一半导体层、倍增层、电荷控制层、第二半导体层、梯度吸收层、阻挡层以及第二接触层。倍增层位于电荷控制层和第一半导体层之间。电荷控制层位于第二半导体层和倍增层之间。第二半导体层位于电荷控制层和梯度吸收层之间。梯度吸收层位于第二半导体层和阻挡层之间。

公开(公告)号：CN104538484A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410729324.9

申请日：2014-12-04

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 马英杰 ,  张永刚 ,  顾溢

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/1075 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035272

摘要： 本发明涉及一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构，所述外延结构采用与衬底晶格匹配的P-型In0.52Al0.48As材料作为电子倍增层，失配的P-型InxGa1-xAs材料作为光吸收层，且采用能带递变和组分递变双过渡层；其中，0.53

公开(公告)号：CN104157721A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410390871.9

申请日：2014-08-08

申请人： 浙江大学

发明人： 徐杨 ,  万霞 ,  王雪 ,  郭宏伟 ,  王锋 ,  施添锦 ,  孟楠 ,  俞滨

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器及其制备方法，所述雪崩光电探测器包括n型硅衬底、二氧化硅隔离层、二氧化硅窗口、二氧化硅绝缘层、顶电极、石墨烯叉指电极薄膜和抗反射层。本发明以石墨烯作为透明叉指电极，与衬底硅形成MSM型结构光电探测器。该光电探测器可以进行宽光谱探测，解决了传统硅基PIN结对紫外光探测响应低的问题；抗反射层增强入射光的吸收，增强光生电流；在较大的反向偏压作用下，石墨烯叉指电极之间产生很强的电场，光生载流子与硅晶格易于产生碰撞离子化，获得很高的增益。本发明具有响应度高，响应速度快，内部增益大，开关比小，低功耗的特点。

公开(公告)号：CN104157720A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410390462.9

申请日：2014-08-08

申请人： 浙江大学

发明人： 徐杨 ,  郭宏伟 ,  万霞 ,  王锋 ,  施添锦 ,  孟楠 ,  王雪 ,  俞滨

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1075 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1136 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明公开了一种混合结构的石墨烯硅基雪崩光电探测器及制备方法，所述雪崩光电探测器包括n型硅衬底、二氧化硅隔离层、二氧化硅窗口、二氧化硅岛、二氧化硅绝缘层、顶电极、石墨烯薄膜和底电极。本发明以石墨烯作为有源层和透明电极，石墨烯与硅接触形成肖特基结；石墨烯覆盖在二氧化硅岛的上表面与硅衬底形成金属/氧化层/半导体结构。该探测器的总电流为肖特基结和MOS结构产生的电流之和，这两种机制产生的光生载流子与硅晶格产生碰撞离子化，获得很高的增益。本发明采用的制备工艺简单，成本低廉，具有响应度高，响应速度快，内部增益大，开关比小，易于集成的特点。