公开(公告)号：CN115231616B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202210847399.1

申请日：2022-07-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  蒋砚南 ,  蒋迪 ,  严羽 ,  赵红 ,  谢自力

IPC: C01G39/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其步骤包括：(1)、将二硫化钼膜转移到衬底上，所述衬底上已经制备好待转移的周期性图案；(2)、常压、空气氛围中升温，达到指定温度后，通入惰性气体保温一段时间，得到上有与衬底图案相对应的周期性图案的二硫化钼膜。本发明方法操作简单，设备要求低，而且能减小多余杂质引入。

公开(公告)号：CN115231616A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210847399.1

申请日：2022-07-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  蒋砚南 ,  蒋迪 ,  严羽 ,  赵红 ,  谢自力

IPC: C01G39/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其步骤包括：(1)、将二硫化钼膜转移到衬底上，所述衬底上已经制备好待转移的周期性图案；(2)、常压、空气氛围中升温，达到指定温度后，通入惰性气体保温一段时间，得到上有与衬底图案相对应的周期性图案的二硫化钼膜。本发明方法操作简单，设备要求低，而且能减小多余杂质引入。