公开(公告)号：CN115231616A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210847399.1

申请日：2022-07-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  蒋砚南 ,  蒋迪 ,  严羽 ,  赵红 ,  谢自力

IPC: C01G39/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其步骤包括：(1)、将二硫化钼膜转移到衬底上，所述衬底上已经制备好待转移的周期性图案；(2)、常压、空气氛围中升温，达到指定温度后，通入惰性气体保温一段时间，得到上有与衬底图案相对应的周期性图案的二硫化钼膜。本发明方法操作简单，设备要求低，而且能减小多余杂质引入。

公开(公告)号：CN113451881B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202110725102.X

申请日：2021-06-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  苗涛 ,  蒋迪 ,  智婷 ,  刘斌

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明公开了一种栅状电极增强表面等离激元激光器，该激光器包括表面等离激元衬底、多量子阱纳米线和栅状电极。本发明利用栅状电极对纳米结构实施电磁场刺激，同时利用等离激元可与增益介质中的激子形成共振耦合从而实现增益介质中光子的受激辐射，成功获得了增强型表面等离激元纳米激光器，核心在于通过采用栅状电极对纳米光腔中的载流子实施电磁场刺激，从而增强纳米光腔中的光产生高效率的激发，降低了表面等离激元激光器的阈值，实现了室温下0.8W/cm2低阈值激射，提高激光器的品质因子Q值。本发明特色在于栅状电极与纳米光腔无接触，在实施电磁场加载的同时有效避免了漏电问题，在一个维度上可突破光学衍射极限的限制。

公开(公告)号：CN115231616B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202210847399.1

申请日：2022-07-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  蒋砚南 ,  蒋迪 ,  严羽 ,  赵红 ,  谢自力

IPC: C01G39/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其步骤包括：(1)、将二硫化钼膜转移到衬底上，所述衬底上已经制备好待转移的周期性图案；(2)、常压、空气氛围中升温，达到指定温度后，通入惰性气体保温一段时间，得到上有与衬底图案相对应的周期性图案的二硫化钼膜。本发明方法操作简单，设备要求低，而且能减小多余杂质引入。

公开(公告)号：CN109935614A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910278874.6

申请日：2019-04-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  蒋迪 ,  余俊驰 ,  王轩 ,  陶涛 ,  潘丹峰 ,  谢自力 ,  周玉刚 ,  陈敦军 ,  修向前 ,  张荣

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro-LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro-LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro-LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。

公开(公告)号：CN109935614B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201910278874.6

申请日：2019-04-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  蒋迪 ,  余俊驰 ,  王轩 ,  陶涛 ,  潘丹峰 ,  谢自力 ,  周玉刚 ,  陈敦军 ,  修向前 ,  张荣

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro‑LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro‑LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro‑LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。

公开(公告)号：CN113451881A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110725102.X

申请日：2021-06-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  苗涛 ,  蒋迪 ,  智婷 ,  刘斌

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明公开了一种栅状电极增强表面等离激元激光器，该激光器包括表面等离激元衬底、多量子阱纳米线和栅状电极。本发明利用栅状电极对纳米结构实施电磁场刺激，同时利用等离激元可与增益介质中的激子形成共振耦合从而实现增益介质中光子的受激辐射，成功获得了增强型表面等离激元纳米激光器，核心在于通过采用栅状电极对纳米光腔中的载流子实施电磁场刺激，从而增强纳米光腔中的光产生高效率的激发，降低了表面等离激元激光器的阈值，实现了室温下0.8W/cm2低阈值激射，提高激光器的品质因子Q值。本发明特色在于栅状电极与纳米光腔无接触，在实施电磁场加载的同时有效避免了漏电问题，在一个维度上可突破光学衍射极限的限制。