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公开(公告)号：CN118156304A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410355361.1
申请日：2024-03-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种引入p‑NiO RESURF和场板结构的硅基HEMT器件及其制备方法，引入较低浓度的p‑NiO RESURF和场板混合的终端结构，其与p‑NiO栅电连接，这种新结构可以实现高击穿电压和低特定导通电阻。通过选择性面积再生，可以采用无刻蚀工艺沉积p‑NiO RESURF结构，避免了干法刻蚀引起的界面损伤。通常p‑NiO RESURF层的引入会耗尽底层的2DEG，导致输出电流降低。我们将p‑NiO RESURF层连接到栅极上，利用栅极正电压产生的场效应来恢复电子浓度从而增加输出电流。当栅极施加负电压时，在RESURF中形成耗尽区，从而实现高击穿电压。
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