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公开(公告)号：CN116632135A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310639955.0
申请日：2023-06-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种交流电场驱动条件下具有电场增强能力的GaN基纳米LED结构，所述GaN基纳米LED结构形成贯穿ITO层、p型GaN层、多量子阱有源层、n型GaN层，深至GaN缓冲层的纳米柱结构，所述纳米柱结构在多量子阱有源层的横截面积最小，往纳米柱两端的方向横截面积逐渐增加，形成中间细、两端粗的柱状结构。本发明提出的纳米柱在量子阱MQW层较细，P型和N型GaN层粗，形成中间细、两端粗的结构。该GaN基纳米柱形状能够提高交流电场环境中，量子阱层内的电场强度，同时增加电流驱动下纳米柱结构中在量子阱区域的电流密度，形成很强的电场增益和电流增益，从而提高器件的发光效率。
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