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发明公开
Al2O3薄膜钝化硅基纳米线的方法及器件无效

公开(公告)号：CN106898543A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710155999.0

申请日：2017-03-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 , 季阳 , 翟颖颖 , 李东珂 , 邵文仪 , 李伟 , 陈坤基

IPC: H01L21/02 , H01L33/00 , H01L33/44

Abstract: 本发明公开一种利用Al2O3薄膜钝化硅基纳米线的方法，在硅纳米线结构表面形成一层Al2O3薄膜以包覆硅基纳米线，Al2O3薄膜层用于钝化纳米线表面缺陷，其厚度控制在硅基中的载流子能够穿透的范围内，纳米线表面形成Al2O3薄膜层后仍具有近似原有形貌的结构，可采用原子层沉积、溅射或等化学气相淀积技术在硅基纳米线表面溅射Al2O3薄膜层。还公开了具有Al2O3钝化层的纳米线结构的器件。通过这种Al2O3薄膜钝化表面缺陷态的方法可以进一步提升器件的发光效率和性能。

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