公开(公告)号：CN106384708A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610835042.6

申请日：2016-09-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  李东珂 ,  陆鹏 ,  李伟 ,  翟颖颖 ,  陈坤基

IPC: H01L21/02 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667

Abstract: 利用硼磷共掺技术提高纳米硅基薄膜中磷的掺杂浓度效率的方法，步骤如下：1)利用PECVD制备掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜材料；2)通过交替进行非晶硅层沉积/原位氧化两个过程，能够获得掺杂纳米硅/二氧化硅(a-Si/SiO2)多层膜材料；控制非晶硅层沉积/原位氧化的时获得a-Si/SiO2多层膜的厚度；3)对制备的a-Si/SiO2多层膜进行脱氢处理；4)脱氢后对进行氮气氛围下的高温退火处理，使多晶硅结晶形成纳米硅，并激活杂质原子进入纳米硅内部，实现纳米硅的掺杂；制备成共掺杂的纳米硅/二氧化硅多层膜。

公开(公告)号：CN106018348A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610395687.2

申请日：2016-06-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陆鹏 ,  李东珂 ,  季阳 ,  钱明庆 ,  翟颖颖 ,  陈坤基

IPC: G01N21/552

CPC classification number: G01N21/554

Abstract: 利用局域表面等离激元共振效应估算纳米硅量子点中掺杂效率的方法，步骤以下：第一步：对不同掺杂浓度的纳米硅量子点材料的制备与纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振效应的表征；掺杂纳米硅量子点材料的制备，局域表面等离激元共振(LSPR)效应的表征：采用傅里叶变换红外光谱仪对不同掺杂浓度的多层膜样品进行测试，得到了在1微米之内短波长范围的红外光谱吸收，对应于样品的局域表面等离激元共振吸收；第二步：利用掺杂纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振峰估算纳米硅量子点中的掺杂浓度与掺杂效率。

公开(公告)号：CN106898543A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710155999.0

申请日：2017-03-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  季阳 ,  翟颖颖 ,  李东珂 ,  邵文仪 ,  李伟 ,  陈坤基

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明公开一种利用Al2O3薄膜钝化硅基纳米线的方法，在硅纳米线结构表面形成一层Al2O3薄膜以包覆硅基纳米线，Al2O3薄膜层用于钝化纳米线表面缺陷，其厚度控制在硅基中的载流子能够穿透的范围内，纳米线表面形成Al2O3薄膜层后仍具有近似原有形貌的结构，可采用原子层沉积、溅射或等化学气相淀积技术在硅基纳米线表面溅射Al2O3薄膜层。还公开了具有Al2O3钝化层的纳米线结构的器件。通过这种Al2O3薄膜钝化表面缺陷态的方法可以进一步提升器件的发光效率和性能。

公开(公告)号：CN106018348B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201610395687.2

申请日：2016-06-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陆鹏 ,  李东珂 ,  季阳 ,  钱明庆 ,  翟颖颖 ,  陈坤基

IPC: G01N21/552

Abstract: 利用局域表面等离激元共振效应估算纳米硅量子点中掺杂效率的方法，步骤以下：第一步：对不同掺杂浓度的纳米硅量子点材料的制备与纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振效应的表征；掺杂纳米硅量子点材料的制备，局域表面等离激元共振(LSPR)效应的表征：采用傅里叶变换红外光谱仪对不同掺杂浓度的多层膜样品进行测试，得到了在1微米之内短波长范围的红外光谱吸收，对应于样品的局域表面等离激元共振吸收；第二步：利用掺杂纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振峰估算纳米硅量子点中的掺杂浓度与掺杂效率。