公开(公告)号：CN1213218A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN97107134.9

申请日：1997-09-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 祝世宁 ,  许祖彦 ,  闵乃本 ,  陆延青 ,  骆桂蓬 ,  徐瑶 ,  何京良 ,  孔羽飞

IPC: H03J1/00

Abstract: 本发明涉及到一种对光学超晶格LN、LT等材料选择性加电场的新方法及其制品,由于巧妙地利用了样品制备时的周期性电极,通过周期性外加电场调制样品的折射率,实现了QPM光学参量过程的电光调谐,弥补了此类器件难以快速高效调谐的缺点,大大提高了器件的调谐精度及速度,有利于OSLLN、LT及相关器件的实用化和市场化,并可望由此开发出更为新颖的相关器件,应用于信息储存、光通讯、信号处理、军事对抗、环境保护等诸多领域。

公开(公告)号：CN1168981A

公开(公告)日：1997-12-31

申请号：CN96116970.2

申请日：1996-06-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 骆桂蓬 ,  祝世宁 ,  刘治国 ,  朱永元 ,  葛传珍 ,  陆亚林 ,  闵乃本

IPC: G02B5/18

Abstract: 一种在紫外吸收材料表面制作光栅的方法，它是用准分子激光脉冲的干涉条纹直接作用于紫外吸收材料表面，使表面刻蚀出周期结构，制作出光栅。本方法制作的光栅，原子力显微镜表明，有波纹形的表面，有良好的周期性，刻蚀深度均匀，刻槽光滑，用本方法便于工业化制作光栅滤波器、光栅耦合器、光栅透镜或分布反馈Bragg光栅。

公开(公告)号：CN1242454C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN03131685.9

申请日：2003-06-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  黄信凡 ,  闵乃本 ,  骆桂蓬 ,  王明湘 ,  徐骏 ,  李伟

IPC: H01L21/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00

Abstract: 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，超薄非晶硅(a-Si)薄膜或a-SiNX:H/a-Si:H/a-SiNX:H结构薄膜上先制作移相光栅模版，然后以激光干涉晶化：激光束经二维移相光栅模版到达a-Si薄膜或a-SiNX:H/a-Si:H/a-SiNX:H结构薄膜表面上形成能量密度二维周期分布的束斑，使a-Si:H薄膜实现定域晶化，即在薄膜内形成二维空间有序分布(图形化)的纳米硅量子点阵列。本发明图形化量子点薄膜可批量生产，能够有效地控制硅量子点的形成与尺寸。

公开(公告)号：CN1484278A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03131685.9

申请日：2003-06-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  黄信凡 ,  闵乃本 ,  骆桂蓬 ,  王明湘 ,  徐骏 ,  李伟

IPC: H01L21/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00

Abstract: 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，超薄非晶硅(a－Si)薄膜或a－SiNx∶H/a－Si∶H/a－SiNx∶H结构薄膜上先制作移相光栅模版，然后以激光干涉晶化：激光束经二维移相光栅模版到达a－Si薄膜或a－SiNx∶H/a－Si∶H/a－SiNx∶H结构薄膜表面上形成能量密度二维周期分布的束斑，使a－Si∶H薄膜实现定域晶化，即在薄膜内形成二维空间有序分布(图形化)的纳米硅量子点阵列。本发明图形化量子点薄膜可批量生产，能够有效地控制硅量子点的形成与尺寸。