公开(公告)号：CN109920876A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910066111.5

申请日：2019-01-24

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 徐峰 ,  陈鹏 ,  高峰 ,  汤文景 ,  张琳 ,  华雪梅

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 一种高响应紫外探测器的制作方法，属于半导体器件制备技术领域，本发明通过在GaN籽晶层上形成具有条形或十字形沟槽窗口的掩膜层，并控制生长掩膜沿指定晶向排列，然后利用MOCVD选择性横向外延工艺获得低缺陷密度的半极性晶面AlxGa1-xN材料，最后在AlxGa1-xN材料表面制备金属叉指结构电极形成肖特基接触，从而实现高响应紫外探测器。

公开(公告)号：CN107482092B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201710615088.1

申请日：2017-07-26

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 徐峰 ,  陈鹏 ,  高峰 ,  汤文景 ,  张琳 ,  华雪梅

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法，属于半导体技术领域，在衬底上以依次外延生长缓冲层、GaN层、InGaN插入层、AlInGaN超晶格模板层和InGaN/AlInGaN多量子阱结构层。其中AlInGaN超晶格模板层由生长20层的短周期InGaN/AlGaN超晶格结构层形成；在生长所述InGaN/AlxInyGa1‑x‑yN多量子阱结构层时，先在AlInGaN超晶格模板层上生长一层AlxInyGa1‑x‑yN超晶格势垒层，然后再在AlxInyGa1‑x‑yN超晶格势垒层上生长一层InGaN势阱层，如此交替地生长AlxInyGa1‑x‑yN超晶格势垒层和InGaN势阱层，直至最后生长AlxInyGa1‑x‑yN超晶格势垒层。本发明提升LED量子阱结构内量子效率达到3倍以上。

公开(公告)号：CN107482092A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710615088.1

申请日：2017-07-26

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 徐峰 ,  陈鹏 ,  高峰 ,  汤文景 ,  张琳 ,  华雪梅

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/04

Abstract: 一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法，属于半导体技术领域，在衬底上以依次外延生长缓冲层、GaN层、InGaN插入层、AlInGaN超晶格模板层和InGaN/AlInGaN多量子阱结构层。其中AlInGaN超晶格模板层由生长20层的短周期InGaN/AlGaN超晶格结构层形成；在生长所述InGaN/AlxInyGa1-x-yN多量子阱结构层时，先在AlInGaN超晶格模板层上生长一层AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层，然后再在AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层上生长一层InGaN势阱层，如此交替地生长AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层和InGaN势阱层，直至最后生长AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层。本发明提升LED量子阱结构内量子效率达到3倍以上。