一种调控高纯石英砂原料晶型的工艺及设备

    公开(公告)号:CN105318739A

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201410772798.1

    申请日:2014-12-16

    IPC分类号: F27D19/00 F27D1/10 F27D1/18

    摘要: 一种调控高纯石英砂原料晶型的工艺,高纯石英砂原料从炉顶部沿炉膛内衬斜面加入,炉内温度控制在600℃-800℃,加热到900℃保温,保温结束后继续加热到1200℃-1300℃保温,保温结束后气缸控制单元自动将出料口炉门打开,原料从出料口快速落下,进入下一个工艺。一种调控高纯石英砂原料晶型的设备包括炉体、保温层、耐火层、硅钼棒加热体、炉膛内衬、控制面板、出料口炉门、出料口、气缸导杆、气缸,炉膛内衬四面均为斜面且与垂直平面的夹角相同,硅钼棒加热体在炉膛内衬外部四周均匀分布,纵向排列,在出料口安装炉门,炉门上安装气缸导杆和气缸,实现炉门开与闭。本发明降低了能源消耗,实现自动化,节约了生产成本。

    一种调控高纯石英砂原料晶型的工艺及设备

    公开(公告)号:CN105318739B

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201410772798.1

    申请日:2014-12-16

    IPC分类号: F27D19/00 F27D1/10 F27D1/18

    摘要: 一种调控高纯石英砂原料晶型的工艺,高纯石英砂原料从炉顶部沿炉膛内衬斜面加入,炉内温度控制在600℃‑800℃,加热到900℃保温,保温结束后继续加热到1200℃‑1300℃保温,保温结束后气缸控制单元自动将出料口炉门打开,原料从出料口快速落下,进入下一个工艺。一种调控高纯石英砂原料晶型的设备包括炉体、保温层、耐火层、硅钼棒加热体、炉膛内衬、控制面板、出料口炉门、出料口、气缸导杆、气缸,炉膛内衬四面均为斜面且与垂直平面的夹角相同,硅钼棒加热体在炉膛内衬外部四周均匀分布,纵向排列,在出料口安装炉门,炉门上安装气缸导杆和气缸,实现炉门开与闭。本发明降低了能源消耗,实现自动化,节约了生产成本。

    一种碳化硅微粉的表面改性方法

    公开(公告)号:CN103833378A

    公开(公告)日:2014-06-04

    申请号:CN201410038480.0

    申请日:2014-01-27

    IPC分类号: C04B35/628 C04B35/565

    摘要: 本发明是一种碳化硅微粉的表面改性方法,使用两种改性剂对碳化硅微粉进行两步干法改性,具体步骤如下:首先配置硅烷偶联剂乙醇溶液和水溶性聚合物水溶液;其次将碳化硅微粉在30~70℃下预热20~60min,将硅烷偶联剂乙醇溶液以雾状形式喷到高速搅拌的碳化硅微粉中,然后在110~150℃下搅拌干燥0.5~3h;其次将预热到30~80℃的聚合物水溶液以雾状形式喷到高速搅拌的碳化硅微粉中,然后在110~150℃下搅拌干燥0.5~3h,得到表面改性的碳化硅微粉。本发明针对碳化硅微粉进行干法改性,能有效地解决碳化硅微粉的分散性问题,有效地提高碳化硅微粉造粒的均匀性和得粉率。

    一种回收废旧氮化硅制备β-氮化硅增韧颗粒的方法

    公开(公告)号:CN105314984A

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201410721542.8

    申请日:2014-12-03

    IPC分类号: C04B35/584 C04B35/626

    摘要: 本发明提供了一种从废旧石英坩埚表面回收、制取β-氮化硅的方法。该方法包括:①将含有二氧化硅、硅、金属等杂质的氮化硅原料加入稀酸液,进行一次常温酸洗,除去金属杂质;②常温下进行二次氢氟酸酸洗,去除二氧化硅及部分硅;③采用纯水清洗呈中性,真空烘干;④1300-1550℃高温氮化处理,得到β-氮化硅;⑤球磨粉碎,筛分分级,选取粒度小于10μm的β-氮化硅。本发明的方法实现了废旧石英坩埚表面氮化硅涂层的高纯回收利用,制取的β-氮化硅可以用作氮化硅陶瓷生产中的增韧材料。

    一种碳化硅微粉的表面改性方法

    公开(公告)号:CN103833378B

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201410038480.0

    申请日:2014-01-27

    IPC分类号: C04B35/628 C04B35/565

    摘要: 本发明是一种碳化硅微粉的表面改性方法,使用两种改性剂对碳化硅微粉进行两步干法改性,具体步骤如下:首先配置硅烷偶联剂乙醇溶液和水溶性聚合物水溶液;其次将碳化硅微粉在30~70℃下预热20~60min,将硅烷偶联剂乙醇溶液以雾状形式喷到高速搅拌的碳化硅微粉中,然后在110~150℃下搅拌干燥0.5~3h;其次将预热到30~80℃的聚合物水溶液以雾状形式喷到高速搅拌的碳化硅微粉中,然后在110~150℃下搅拌干燥0.5~3h,得到表面改性的碳化硅微粉。本发明针对碳化硅微粉进行干法改性,能有效地解决碳化硅微粉的分散性问题,有效地提高碳化硅微粉造粒的均匀性和得粉率。

    一种水热法快速制备超高强度α半水石膏的反应釜

    公开(公告)号:CN204122112U

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201420420697.3

    申请日:2014-07-28

    IPC分类号: B01J19/18

    摘要: 本实用新型公开了一种水热法快速制备超高强度α半水石膏的反应釜。该反应釜主要包括反应釜主体、加热装置、搅拌装置和监测控制装置。反应釜主体包括釜体,釜体顶部有料浆进口,釜体底部有卸料口;加热装置包括多组均匀排布在釜体内壁的加热排管、加热介质入口和加热介质出口,加热排管是截面呈长方形的扁管,扁管长边垂直于釜壁;搅拌装置由电机、搅拌轴以及搅拌桨组成,搅拌桨为锚型与螺旋桨型组合的搅拌桨;监测控制装置包括测温管和取料口。本实用新型通过结构改进,能够降低α半水石膏生产周期和生产能耗,简化生产工艺,并且能够大幅度提升α半水石膏的二次成核速率,降低α半水石膏细度,使得其强度远大于现有反应釜制备的半水石膏。

    一种快速制备超高强α半水石膏的方法及反应釜

    公开(公告)号:CN104071999B

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201410302879.5

    申请日:2014-06-27

    IPC分类号: C04B11/024

    摘要: 本发明公开了一种快速制备超高强α半水石膏的方法及反应釜。本发明方法的步骤为:水、转晶剂(0.2-1%)和易容钙盐或硫酸盐配制成0.5-5%盐溶液;盐溶液与粉状二水石膏按照质量比1:0.5-2配制成料浆并加热到90-100℃;料浆加到内部设有挡板的反应釜中,于110-150℃、100-800转/分钟的转速下保温0.2-1.0小时;反应后的半水石膏晶浆通过脱水、烘干即得高强α半水石膏成品。本发明采用易溶钙盐或硫酸盐,降低了生产能耗,增大了晶体的生长速率,使反应周期变短;反应釜内部引入挡板,增加了半水石膏的二次成核速率,降低了细度,优化了粒度分布,得到的成品2小时干抗压强度提升到50Mpa以上。

    一种快速制备超高强α半水石膏的方法及反应釜

    公开(公告)号:CN104071999A

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:CN201410302879.5

    申请日:2014-06-27

    IPC分类号: C04B11/024

    摘要: 本发明公开了一种快速制备超高强α半水石膏的方法及反应釜。本发明方法的步骤为:水、转晶剂(0.2-1%)和易容钙盐或硫酸盐配制成0.5-5%盐溶液;盐溶液与粉状二水石膏按照质量比1:0.5-2配制成料浆并加热到90-100℃;料浆加到内部设有挡板的反应釜中,于110-150℃、100-800转/分钟的转速下保温0.2-1.0小时;反应后的半水石膏晶浆通过脱水、烘干即得高强α半水石膏成品。本发明采用易溶钙盐或硫酸盐,降低了生产能耗,增大了晶体的生长速率,使反应周期变短;反应釜内部引入挡板,增加了半水石膏的二次成核速率,降低了细度,优化了粒度分布,得到的成品2小时干抗压强度提升到50Mpa以上。