公开(公告)号：CN117766357A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311796134.4

申请日：2023-12-25

申请人： 南京理工大学

发明人： 张益军 ,  王自衡 ,  张锴珉 ,  马忻狄 ,  蒋煜 ,  童泽昊 ,  刘晓荣 ,  钱芸生

IPC分类号： H01J9/12 ,  H01J1/34

摘要： 本发明公开了一种GaAs基光电阴极的Cs/NF3/O混合激活方法，即在超高真空阴极激活系统中进行的单次阴极激活过程中，共同使用Cs源、NF3源和O源完成GaAs基光电阴极的表面激活操作，该混合激活方法具有提高GaAs基光电阴极稳定性和光谱响应性能的效果。这一新型的混合激活方法包括了以下步骤：1、对GaAs、InGaAs和AlGaAs等GaAs基类的光电阴极进行表面清洗；2、转移样品至超高真空系统中并进行高温净化，使样品达到原子级清洁表面；3、采用白光光源对阴极样品进行Cs/NF3激活；4、Cs/NF3激活结束后关闭NF3源，立即进行两次Cs/O交替激活，当光电流达到最高点时关闭Cs源和O源结束激活。通过上述方式，本发明可以得到阴极稳定性更好、光谱响应更高的GaAs基光电阴极。

公开(公告)号：CN118610293A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410708802.1

申请日：2024-06-03

申请人： 南京理工大学

发明人： 张益军 ,  李诗曼 ,  童泽昊 ,  蒋煜 ,  唐嵩 ,  刘晓荣 ,  马忻狄 ,  张俊举 ,  钱芸生

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提出了一种微纳透射式GaAs光阴极组件及其制备方法、像增强器、成像传感器。所述微纳透射式GaAs光阴极组件包括玻璃、SiO2过渡层、具备微纳结构阵列的GaAlAs缓冲层、GaAs发射层及激活层依次叠加，SiO2过渡层、具备微纳结构阵列的GaAlAs缓冲层之间通过Si3N4填充介质填充。本发明给出了完整的具备微纳结构阵列GaAlAs缓冲层的新型透射式GaAs光阴极组件的制备工艺流程，该工艺流程同时兼容了传统的反转工艺和新兴的微纳加工技术，能够得到具备形貌完整、周期性良好的微纳结构阵列GaAlAs缓冲层的响应增强型透射式GaAs光阴极组件。应用本发明具备微纳结构阵列GaAlAs缓冲层的透射式GaAs光电阴极组件的像增强器与EBCOMS成像传感器，其光谱响应有明显提升。