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公开(公告)号:CN112507653A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN202011161540.X
申请日:2020-10-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/398 , H01L29/30
Abstract: 本发明公开了一种电子输运性能更优的IV‑V族二维半导体模型构建方法,方法包括以下步骤:选取IV族元素和V族元素,构建二维半导体理想模型;计算理想模型的电子输运性质,包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性;基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型;计算各缺陷模型的电子输运性质,包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性;根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质,选取最优的二维半导体缺陷模型。本发明对理想的二维半导体模型进行缺陷设计,使缺陷周围重建期间形成的新建长度来评估结构稳定性,提高了最优方案的精确度。
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公开(公告)号:CN112507653B
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202011161540.X
申请日:2020-10-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/398 , H01L29/30
Abstract: 本发明公开了一种电子输运性能更优的IV‑V族二维半导体模型构建方法,方法包括以下步骤:选取IV族元素和V族元素,构建二维半导体理想模型;计算理想模型的电子输运性质,包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性;基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型;计算各缺陷模型的电子输运性质,包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性;根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质,选取最优的二维半导体缺陷模型。本发明对理想的二维半导体模型进行缺陷设计,使缺陷周围重建期间形成的新建长度来评估结构稳定性,提高了最优方案的精确度。
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