电子输运性能更优的IV-V族二维半导体模型构建方法

    公开(公告)号:CN112507653A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN202011161540.X

    申请日:2020-10-27

    Abstract: 本发明公开了一种电子输运性能更优的IV‑V族二维半导体模型构建方法,方法包括以下步骤:选取IV族元素和V族元素,构建二维半导体理想模型;计算理想模型的电子输运性质,包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性;基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型;计算各缺陷模型的电子输运性质,包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性;根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质,选取最优的二维半导体缺陷模型。本发明对理想的二维半导体模型进行缺陷设计,使缺陷周围重建期间形成的新建长度来评估结构稳定性,提高了最优方案的精确度。

    基于脉冲雷达的自适应MTI滤波器优化方法

    公开(公告)号:CN117630825A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311700716.8

    申请日:2023-12-12

    Abstract: 基于脉冲雷达的自适应MTI滤波器优化方法,对于输入信号有两端延迟处理,之后分别进行递归处理,求和叠加,最后再与输入信号进行叠加,所述两端延迟处理是基于双延迟对消器,自适应参数配置也进行了两端分别处理,可以实现对比单延迟对消器有更高的功率增益,从而实现更好的杂波抑制效果,可以设置不同的k值,获得对应的杂波环境下最佳的频率响应特性,从而实现最好的杂波抑制效果。

    电子输运性能更优的IV-V族二维半导体模型构建方法

    公开(公告)号:CN112507653B

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202011161540.X

    申请日:2020-10-27

    Abstract: 本发明公开了一种电子输运性能更优的IV‑V族二维半导体模型构建方法,方法包括以下步骤:选取IV族元素和V族元素,构建二维半导体理想模型;计算理想模型的电子输运性质,包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性;基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型;计算各缺陷模型的电子输运性质,包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性;根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质,选取最优的二维半导体缺陷模型。本发明对理想的二维半导体模型进行缺陷设计,使缺陷周围重建期间形成的新建长度来评估结构稳定性,提高了最优方案的精确度。

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