公开(公告)号：CN112507653A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011161540.X

申请日：2020-10-27

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张铮琪 ,  宋家欣 ,  陈俊山 ,  曾晖

IPC: G06F30/398 ,  H01L29/30

Abstract: 本发明公开了一种电子输运性能更优的IV‑V族二维半导体模型构建方法，方法包括以下步骤：选取IV族元素和V族元素，构建二维半导体理想模型；计算理想模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型；计算各缺陷模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质，选取最优的二维半导体缺陷模型。本发明对理想的二维半导体模型进行缺陷设计，使缺陷周围重建期间形成的新建长度来评估结构稳定性，提高了最优方案的精确度。

公开(公告)号：CN117630825A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311700716.8

申请日：2023-12-12

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 王昊 ,  宋家欣 ,  徐文文 ,  徐达龙 ,  曹建银

IPC: G01S7/28

Abstract: 基于脉冲雷达的自适应MTI滤波器优化方法，对于输入信号有两端延迟处理，之后分别进行递归处理，求和叠加，最后再与输入信号进行叠加，所述两端延迟处理是基于双延迟对消器，自适应参数配置也进行了两端分别处理，可以实现对比单延迟对消器有更高的功率增益，从而实现更好的杂波抑制效果，可以设置不同的k值，获得对应的杂波环境下最佳的频率响应特性，从而实现最好的杂波抑制效果。

公开(公告)号：CN112507653B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202011161540.X

申请日：2020-10-27

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张铮琪 ,  宋家欣 ,  陈俊山 ,  曾晖

IPC: G06F30/398 ,  H01L29/30

Abstract: 本发明公开了一种电子输运性能更优的IV‑V族二维半导体模型构建方法，方法包括以下步骤：选取IV族元素和V族元素，构建二维半导体理想模型；计算理想模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型；计算各缺陷模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质，选取最优的二维半导体缺陷模型。本发明对理想的二维半导体模型进行缺陷设计，使缺陷周围重建期间形成的新建长度来评估结构稳定性，提高了最优方案的精确度。