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公开(公告)号：CN101857516A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010178436.1
申请日：2010-05-21
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备改善点传火性能的微气孔烟花药的方法，首先将物料溶解、乳化发泡、成球，接着进行溶剂驱除、物料分离，最后进行烘干；在物料溶解和乳化发泡的时候，加入敏化剂水溶液；在成球过程中，加入含有敏化剂和分散剂的水溶液作为分散介质；上述敏化剂水溶液浓度相同。所用敏化剂可以选用碱金属或碱土金属的硝酸盐、高氯酸盐或其混合物，添加比例为原料药质量的0.2-10％。敏化剂在微气孔烟花药成型过程中以水溶液的形式加入，不增加额外的工序，成型介质在工艺过程中循环使用，不会造成环境污染和材料的浪费，得到的成品样中的敏化剂分布更均匀，点火能力及常压传火速度都显著提高。
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公开(公告)号：CN101857516B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201010178436.1
申请日：2010-05-21
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备改善点传火性能的微气孔烟花药的方法，首先将物料溶解、乳化发泡、成球，接着进行溶剂驱除、物料分离，最后进行烘干；在物料溶解和乳化发泡的时候，加入敏化剂水溶液；在成球过程中，加入含有敏化剂和分散剂的水溶液作为分散介质；上述敏化剂水溶液浓度相同。所用敏化剂可以选用碱金属或碱土金属的硝酸盐、高氯酸盐或其混合物，添加比例为原料药质量的0.2-10％。敏化剂在微气孔烟花药成型过程中以水溶液的形式加入，不增加额外的工序，成型介质在工艺过程中循环使用，不会造成环境污染和材料的浪费，得到的成品样中的敏化剂分布更均匀，点火能力及常压传火速度都显著提高。
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公开(公告)号：CN101876519A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010178398.X
申请日：2010-05-21
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种烟花的发射装药结构，包括底座、支撑环、发射药、引线、下垫片、礼花弹弹体或效果药内筒、上垫片、发射筒。本发明所述的装药方法，是在完成引线安装之后，将采用轻质材料制造的支撑环置入到筒内，然后装入发射药，此后的装配顺序同常规的烟花装药。在发射过程中，增加的支撑环可以有效地调节药室的自由容积，并对垫片和效果药内筒或礼花弹弹体起到定位的作用。通过采用上述装药结构和装药方法，可以解决发射药燃烧不充分或残药问题，并改善发射稳定性。这种装药方法，不仅适用于采用微孔型无烟烟花发射药作为发射药的烟花品种，还可应用于其他类型的烟花品种上，提高发射药的能量利用效率，同时也改善产品的环保性能。
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公开(公告)号：CN104976925A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510309799.7
申请日：2015-06-08
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种含能半导体桥及其制备方法。该含能导体桥包括半导体桥基底以及该半导体桥基底上制备的3DOM金属氧化物纳米铝热剂薄膜，制备步骤为：制备PS微球乳液；制备金属氧化物前驱液；在半导体桥基底上滴加PS微球乳液并进行干燥，PS微球自然沉积形成胶晶模板；在胶晶模板上滴加金属氧化物前驱液，该前驱液渗透入胶晶模板中，然后进行干燥得到PS微球/前驱液复合薄膜；将PS微球/前驱液复合薄膜放入马弗炉中煅烧除去PS胶晶模板，生成3DOM金属氧化物骨架；采用磁控溅射对半导体桥基底上的3DOM金属氧化物骨架进行镀铝，得到载有3DOM金属氧化物纳米铝热剂薄膜的半导体桥。本发明的制备条件温和，制备的含能半导体桥具有高发火量、长发火时间的优点。
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