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公开(公告)号：CN111129950A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911315404.9
申请日：2019-12-18
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于纳米激光器的双凹型金属半导体谐振腔，包括由内到位依次设置的半导体层、绝缘层和金属层；其中半导体层包括InGaAs核心层、p掺杂的InP材料层、n掺杂的InP材料层和p参杂的InGaAs顶上接触层；InGaAs核心层的下层为p掺杂的InP材料层，InGaAs核心层的上层为n掺杂的InP材料层，n掺杂的InP材料层上面为p参杂的InGaAs顶上接触层；绝缘层由绝缘体材料SiO2构成，包裹在半导体层侧壁和端面；金属层由金属材料Ag构成，包裹绝缘层外部并和顶部的半导体层相接触。本发明降低了辐射损耗，减小了金属表面等离激元损耗，结构简单、制作容易，且有效降低了激发谐振腔的阈值电流。
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公开(公告)号：CN109244827B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201811062861.7
申请日：2018-09-12
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于纳米激光器的高斯型金属半导体谐振腔，谐振腔是由半导体材料外包金属壳层构成的双凹形半导体谐振腔，具有高斯光束形状的谐振腔结构。本发明提出了一种新型的高斯型的谐振腔结构来减小金属半导体腔的表面等离激元损耗，这种谐振腔的圆弧形反射面可以将谐振模式集中在腔的中心，使谐振模式的场分布远离金属侧壁从而有效减少金属损耗；谐振腔的弯曲侧壁减小谐振模式垂直于金属侧壁的电场分量，可以进一步抑制表面等离激元损耗；通过合理设计谐振腔的反射面以及弯曲侧壁，可以有效的降低激发谐振腔的阈值电流，为纳米激光器的谐振腔设计及其在光子集成电路、光互连等相关领域提供了技术参考。
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公开(公告)号：CN109244827A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811062861.7
申请日：2018-09-12
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于纳米激光器的高斯型金属半导体谐振腔，谐振腔是由半导体材料外包金属壳层构成的双凹形半导体谐振腔，具有高斯光束形状的谐振腔结构。本发明提出了一种新型的高斯型的谐振腔结构来减小金属半导体腔的表面等离激元损耗，这种谐振腔的圆弧形反射面可以将谐振模式集中在腔的中心，使谐振模式的场分布远离金属侧壁从而有效减少金属损耗；谐振腔的弯曲侧壁减小谐振模式垂直于金属侧壁的电场分量，可以进一步抑制表面等离激元损耗；通过合理设计谐振腔的反射面以及弯曲侧壁，可以有效的降低激发谐振腔的阈值电流，为纳米激光器的谐振腔设计及其在光子集成电路、光互连等相关领域提供了技术参考。
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