一种光催化纳米复合催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN111992226B

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202010736853.7

    申请日:2020-07-28

    IPC分类号: B01J27/049 C01B3/04 C01B13/02

    摘要: 本发明公开了一种光催化分解水的纳米复合催化剂及其制备方法,属于光催化纳米材料的合成技术领域,实现了在紫外—可见光催化下的纯水分解反应,所述催化剂具有很好的催化活性和稳定性;而且制备工艺操作简单,反应条件温和,所用试剂价格低廉。本发明涉及了一种光催化纳米材料La,Al双金属离子共掺SrTiO3作为光催化吸光半导体材料的设计和制备方法,并担载WS2@CrOx为析氢助催化剂,CoOOH为析氧助催化剂,La,Al摩尔占比分别为1%~10%,以及助催化剂担载量为0.5wt%‑5wt%的不同WS2@CrOx/La,Al‑SrTiO3/CoOOH复合纳米材料。

    一种硫化钨纳米颗粒修饰的硅光电阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN112030176B

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202010732234.0

    申请日:2020-07-27

    摘要: 本发明公开了一种硫化钨纳米颗粒修饰的硅光电阴极及其制备方法,属于光电催化半导体材料领域,制备工艺简单易操作,条件温和且可控,可简单地通过改变硫代钨酸盐的浓度和反应时间来控制,原料成本和制备效率均优于现有技术。本发明具体包括:以可溶性硫代钨酸盐的溶液为反应原料,并以氢氟酸溶液作为反应介质,在常温条件下,通过已被氟化刻蚀处理过的硅片表面在氢氟酸介质中与硫代钨酸根离子的氧化还原作用,原位沉积硫化钨纳米颗粒至硅片表面,制得具有均匀沉积的超薄硫化钨纳米颗粒薄膜的硅光电阴极。

    一种双金属离子掺杂的纳米复合光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN112023938A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202010736072.8

    申请日:2020-07-28

    IPC分类号: B01J23/89 C01B3/04 C01B13/02

    摘要: 本发明公开了一种双金属离子掺杂的纳米复合光催化剂及其制备方法,属于光催化纳米材料的合成技术领域,所述的光催化剂具有很好的催化活性和稳定性;而且制备工艺操作简单,反应条件温和,所用试剂价格低廉。本发明以La源和Al源化合物按比例与SrTiO3和SrCl2均匀混合,在一定温度下热处理,再经大量水洗,除去多余SrCl2,烘干后得到目标产物,得到的光催化剂为La,Al双金属离子共掺SrTiO3,担载RhCrOx和CoOOH作为助催化剂,其中La摩尔占比为1%~10%,Al摩尔占比为1%~10%,La和Al为等摩尔比,制备得到的光催化剂能够实现可见光下的纯水分解。

    一种MoS2@CrOx/La,Al-SrTiO3/CoOOH光催化剂及制备方法

    公开(公告)号:CN112007663A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010736925.8

    申请日:2020-07-28

    IPC分类号: B01J27/051

    摘要: 本发明公开了一种MoS2@CrOx/La,Al-SrTiO3/CoOOH光催化剂及制备方法,属于光催化纳米材料的合成技术领域,所述催化剂能实现在紫外—可见光下的光催化反应,在光催化反应中具有很好的催化活性和稳定性,且制备工艺操作简单,反应条件温和,所用试剂价格低廉。本发明涉及了一种新型光催化纳米材料La,Al双金属离子共掺SrTiO3,并担载MoS2@CrOx为析氢助催化剂,CoOOH为析氧助催化剂,La,Al摩尔占比分别为1%~10%,助催化剂担载量为0.5wt%-5wt%的不同的MoS2@CrOx/La,Al-SrTiO3/CoOOH复合纳米光催化材料。

    一种增强硅光电阴极表面活性的方法

    公开(公告)号:CN112030185B

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202010733655.5

    申请日:2020-07-27

    摘要: 本发明公开了一种增强硅光电阴极表面活性的方法,属于光电催化技术领域,提供了简单高效地制备无定形硫化钼钨薄膜修饰的硅光电阴极的方法,所制得的硅光电阴极具有优异的表面催化活性。本发明以可溶性硫代钼酸盐和硫代钨酸盐的溶液为反应原料,并以氢氟酸溶液作为反应介质,在常温条件下,通过已被氟化处理过的硅片表面在氢氟酸介质中与硫代钼酸根和硫代钨酸根离子的氧化还原作用,原位沉积无定形硫化钼钨的共沉积薄膜至硅片表面,从而增强硅光电阴极表面的催化活性。本发明工艺简单易操作,条件温和且可控,制备得到的硅光电阴极在光电催化水分解和光电催化二氧化碳还原等领域具有极大的应用潜力。

    一种无定形硫化钼薄膜修饰的硅光电阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN112030184B

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN202010732300.4

    申请日:2020-07-27

    摘要: 本发明公开了一种无定形硫化钼薄膜修饰的硅光电阴极及其制备方法,属于光电催化半导体材料领域,提供了一种在温和条件下简单并高效地制备无定形硫化钼薄膜修饰的硅光电阴极的方法,本发明的方法以可溶性硫代钼酸盐为反应原料,在氢氟酸溶液介质中通过与硅片表面简单的常温液相氧化还原作用,可控地在硅光电阴极上原位沉积无定形硫化钼,可简单地通过改变硫代钼酸盐的浓度和反应时间来控制无定形硫化钼薄膜的厚度,原料成本和制备效率均优于现有技术;所得无定形硫化钼与硅光电阴极具有紧密的界面结合作用,从而实现高效的光生电子传输。

    一种硫化钨纳米颗粒修饰的硅光电阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN112030176A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202010732234.0

    申请日:2020-07-27

    摘要: 本发明公开了一种硫化钨纳米颗粒修饰的硅光电阴极及其制备方法,属于光电催化半导体材料领域,制备工艺简单易操作,条件温和且可控,可简单地通过改变硫代钨酸盐的浓度和反应时间来控制,原料成本和制备效率均优于现有技术。本发明具体包括:以可溶性硫代钨酸盐的溶液为反应原料,并以氢氟酸溶液作为反应介质,在常温条件下,通过已被氟化刻蚀处理过的硅片表面在氢氟酸介质中与硫代钨酸根离子的氧化还原作用,原位沉积硫化钨纳米颗粒至硅片表面,制得具有均匀沉积的超薄硫化钨纳米颗粒薄膜的硅光电阴极。

    一种光催化纳米复合催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN111992226A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010736853.7

    申请日:2020-07-28

    IPC分类号: B01J27/049 C01B3/04 C01B13/02

    摘要: 本发明公开了一种光催化分解水的纳米复合催化剂及其制备方法,属于光催化纳米材料的合成技术领域,实现了在紫外—可见光催化下的纯水分解反应,所述催化剂具有很好的催化活性和稳定性;而且制备工艺操作简单,反应条件温和,所用试剂价格低廉。本发明涉及了一种新型光催化纳米材料La,Al双金属离子共掺SrTiO3作为光催化吸光半导体材料的设计和制备方法,并担载WS2@CrOx为析氢助催化剂,CoOOH为析氧助催化剂,La,Al摩尔占比分别为1%~10%,以及助催化剂担载量为0.5wt%-5wt%的不同WS2@CrOx/La,Al-SrTiO3/CoOOH复合纳米材料。

    一种增强硅光电阴极表面活性的方法

    公开(公告)号:CN112030185A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202010733655.5

    申请日:2020-07-27

    摘要: 本发明公开了一种增强硅光电阴极表面活性的方法,属于光电催化技术领域,提供了简单高效地制备无定形硫化钼钨薄膜修饰的硅光电阴极的方法,所制得的硅光电阴极具有优异的表面催化活性。本发明以可溶性硫代钼酸盐和硫代钨酸盐的溶液为反应原料,并以氢氟酸溶液作为反应介质,在常温条件下,通过已被氟化处理过的硅片表面在氢氟酸介质中与硫代钼酸根和硫代钨酸根离子的氧化还原作用,原位沉积无定形硫化钼钨的共沉积薄膜至硅片表面,从而增强硅光电阴极表面的催化活性。本发明工艺简单易操作,条件温和且可控,制备得到的硅光电阴极在光电催化水分解和光电催化二氧化碳还原等领域具有极大的应用潜力。

    一种无定形硫化钼薄膜修饰的硅光电阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN112030184A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202010732300.4

    申请日:2020-07-27

    摘要: 本发明公开了一种无定形硫化钼薄膜修饰的硅光电阴极及其制备方法,属于光电催化半导体材料领域,提供了一种在温和条件下简单并高效地制备无定形硫化钼薄膜修饰的硅光电阴极的方法,本发明的方法以可溶性硫代钼酸盐为反应原料,在氢氟酸溶液介质中通过与硅片表面简单的常温液相氧化还原作用,可控地在硅光电阴极上原位沉积无定形硫化钼,可简单地通过改变硫代钼酸盐的浓度和反应时间来控制无定形硫化钼薄膜的厚度,原料成本和制备效率均优于现有技术;所得无定形硫化钼与硅光电阴极具有紧密的界面结合作用,从而实现高效的光生电子传输。