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公开(公告)号:CN103236324A
公开(公告)日:2013-08-07
申请号:CN201310139855.8
申请日:2013-04-22
申请人: 南京邮电大学
IPC分类号: H01B13/00
摘要: 本发明涉及的是一种基于还原氧化石墨烯的柔性透明导电薄膜的制备方法,能够通过溶液加工利用棒式涂层(Rod-coating)制膜方法,借助氢碘酸在小于等于100摄氏度的条件下还原氧化石墨烯薄膜,从而实现大面积制备还原氧化石墨烯透明导电薄膜的技术。本发明制备的柔性透明导电薄膜可广泛地应用于光电显示领域,具有:(1)高的导电性;(2)良好的透光性;(3)优异的机械性能;(4)大面积制备(18×20cm2);(5)原料丰富且利用率高;(6)制备工艺简单且绿色环保等优点。该技术获得的柔性透明导电薄膜可以较好地弥补传统金属氧化物(ITO)质脆的不足,有望作为柔性透明电极广泛应用于有机电致发光显示、有机太阳能电池等光电功能器件领域。
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公开(公告)号:CN102295758A
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN201110143271.9
申请日:2011-05-26
申请人: 南京邮电大学
摘要: 共轭打断聚合物半导体材料及其制备和应用方法属于有机光电材料科技领域,在发光二极管、太阳能电池、磷光主体材料、有机电存储材料、孔材料以及气体传感等领域有着潜在的重要用途。本发明的共轭打断聚合物半导体材料具有如下结构:该材料具有较高的稳定性和合成路线简单的优点。该类共轭打断超支化聚合物半导体光电材料,是在室温条件下,通过三氟化硼乙醚催化的傅克聚合反应制备;原料便宜,操作简单,常温制备,产率高。
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公开(公告)号:CN105622901A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201610151565.9
申请日:2016-03-16
申请人: 南京邮电大学
IPC分类号: C08G61/12 , C07D519/00 , H01L51/00
CPC分类号: C08G61/126 , C07D519/00 , C08G2261/11 , C08G2261/1424 , C08G2261/143 , C08G2261/148 , C08G2261/18 , C08G2261/334 , C08G2261/598 , C08G2261/91 , H01L51/0036
摘要: 本发明公开了一类打断共轭型聚合物半导体材料及其制备方法和应用,该半导体材料的结构以环戊并二噻吩为骨架,具有选自通式(Ⅰ)、通式(Ⅱ)或通式(Ⅲ)的化学式的结构:制备方法:先通过环戊并二噻吩酮或者其衍生物与格氏试剂反应制备叔醇,然后在室温下,通过叔醇的傅克均聚反应,合成打断共轭型聚合物。本发明提供的聚合物材料有很宽的紫外吸收峰、窄的能带结构和电化学稳定性良好并可以捕获电子等性能特点,在有机电存储、太阳能电池和近红外探测领域具有很好的应用前景。且该材料的制备方法具有操作简单、反应条件温和、产率高等特点,易于工业应用。
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